中山大学;新启航半导体有限公司朱海获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;新启航半导体有限公司申请的专利一种环形光栅异质结日盲探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411272044.X，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种环形光栅异质结日盲探测器及其制备方法是由朱海;张一帆;王立胜;王庭云设计研发完成，并于2024-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环形光栅异质结日盲探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环形光栅异质结日盲探测器及其制备方法，其中探测器包括：背电极、金刚石层、Ga2O3层、环形光栅、叉指状电极；所述金刚石层设于背电极的顶端，所述Ga2O3层设于金刚石层的顶端；所述环形光栅设于Ga2O3层的顶端；所述叉指状电极设于环形光栅的顶端中心位置；本发明更高效率利用入射光，使可探测光的光强阈值更低，提高光吸收效率，提高微弱光探测能力。
本发明授权一种环形光栅异质结日盲探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种环形光栅异质结日盲探测器，其特征在于，包括： 背电极、金刚石层、Ga2O3层、环形光栅、叉指状电极； 所述金刚石层设于背电极的顶端，所述Ga2O3层设于金刚石层的顶端；刻蚀所述Ga2O3层的顶端形成所述环形光栅； 所述叉指状电极设于环形光栅的顶端，且与Ga2O3层的顶端接触，叉指状电极的叉指部分位于环形光栅的顶端中心位置；所述环形光栅的占空比和周期满足光栅衍射条件和二阶布拉格条件； 二阶布拉格条件如下： 光栅衍射条件如下： 其中为入射角，为出射角，为光栅周期。
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