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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119335733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411257582.1，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法是由邓娟;孙玉宝;耿洋;张艺涛;高凡;鄢波设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法，包括如下步骤：1构建手性纳米单元结构；2通过扫描单元结构参数确定入射光波长λ1、λ2；3构建纳米结构阵列，所述纳米结构阵列包含多个纳米结构单元。本发明对于不同波长以及偏振状态的入射光，可实现多通道近远场的地理成像，且具有结构简单、易于集成的特点，在多功能超表面图像加密中有潜在应用价值。

本发明授权一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于手性超表面实现近远场多通道图像加密的方法，其特征在于包括如下步骤： 1构建纳米单元结构：所述的纳米单元结构是一种金属-介质-金属M-I-M的结构，包括位于上层的金属铝纳米结构、中间层的二氧化硅介质层以及下层金属铝纳米基底；上层的金属铝纳米结构设置在中间层的顶部平台上，包括拼接成L形的第一纳米砖和第二纳米砖以及独立的第三纳米砖，第二纳米砖的长边与第三纳米砖的长边平行，第一纳米砖的长边设置在第二纳米砖长轴远离第三纳米砖一侧；所述的三块纳米砖均为矩形立方体，长边分别为长轴L1、L2、L3，短边分别为短轴均为W，高度均为H1；所述的中间层二氧化硅结构的厚度为H2，周期为P；所述的下层铝基底厚度为H3，周期为P； 2优化纳米单元结构：通过电磁仿真优化单元结构参数，确定出圆偏振光入射时能实现奇异点特性处的波长λ1以及线偏振光入射时交叉极化率转化较高处的波长λ2，优化参数包括：所述上层纳米砖的长轴L1、L3，短轴W，高度H1以及分布间距G，中间介质层的周期P、厚度H2和下层纳米基底的周期P、厚度H3保持不变； 3构建纳米结构阵列：纳米结构阵列是由不同转角的上层结构以及固定的中下层结构共同构成，其中起到调制作用的则是旋转的上层结构；在设计超透镜结构时，重点是对上层结构角度关系的确定，需确保旋转角度同时满足近场灰度、二值图成像的光强关系以及远场全息成像的相位分布关系。

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