北京科技大学张天富获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411373235.5，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法是由张天富;李晨宇;庞晓露设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法，涉及半导体器件技术领域，薄膜包括：基片、底电极层和顶电极层，基片表面沉积底电极层，底电极层与顶电极层之间交替沉积多层第一反铁电层和第二反铁电层；其中，第一反铁电层的材料包括PbZrO3薄膜；第二反铁电层的材料包括PLZS薄膜。本发明缓解了现有技术存在的反铁电体电滞宽度较大导致储能效率低的技术问题。
本发明授权基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于负电容效应增强极化和储能特性的薄膜，其特征在于，包括：基片、底电极层和顶电极层，所述基片表面沉积底电极层，所述底电极层与所述顶电极层之间交替沉积多层第一反铁电层和第二反铁电层；其中， 所述第一反铁电层的材料包括PbZrO3薄膜； 所述第二反铁电层的材料包括PLZS薄膜； 所述PLZS薄膜的化学式包括：Pb0.97La0.02Zr0.55Sn0.45O3； 所述基片的材料包括SrTiO3； 所述底电极层的材料包括：SrRuO3； 所述顶电极层的材料包括Pt。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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