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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种光热伪装器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119343040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411462152.3，技术领域涉及：H10N19/00；该发明授权一种光热伪装器件及其制造方法是由孙浩林;李宗涛;李家声;张宏伟设计研发完成，并于2024-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光热伪装器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光热伪装器件及其制造方法。所述光热伪装器件包括半导体制冷衬底，半导体制冷衬底内设置有RGB‑LED，所述半导体制冷衬底还包括下基板、上基板、电极和半导体颗粒，下基板和上基板相对设置，下基板和上基板均设置有所述电极，半导体颗粒包括P型半导体颗粒和N型半导体颗粒，P型半导体颗粒和N型半导体颗粒交替排布在下基板、上基板之间且与所述电极形成回路，工作时，向所述回路施加外电压，通过调节电流的方向与大小来实现器件的降温与升温以改变器件的红外光谱图像。本发明利用了半导体制冷技术无需制冷剂、工作无振动无噪音以及操作简便的优点，将半导体制冷衬底与RGB‑LED集成，制造可见光与红外光图案独立可调的光热伪装器件。

本发明授权一种光热伪装器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光热伪装器件，其特征在于，包括半导体制冷衬底，半导体制冷衬底内设置有RGB-LED，所述半导体制冷衬底还包括下基板、上基板、电极和半导体颗粒，下基板和上基板相对设置，下基板和上基板均设置有所述电极，半导体颗粒包括P型半导体颗粒和N型半导体颗粒，P型半导体颗粒和N型半导体颗粒交替排布在下基板、上基板之间且与所述电极形成回路，且P型半导体颗粒和N型半导体颗粒通过电极交替连接，工作时，向所述回路施加外电压，通过调节电流的方向与大小来实现器件的降温与升温以改变器件的红外光谱图像； 所述半导体制冷衬底还包括RGB-LED供电线路，RGB-LED供电线路图案化印制在下基板上，RGB-LED的引脚与RGB-LED供电线路的焊接触点连接，RGB-LED焊接安装在下基板上表面空余位置；所述RGB-LED供电后输出可见光图像，通过改变RGB-LED的供电方式来改变器件可见光图案的输出； 还包括控制系统，所述控制系统与半导体制冷衬底连接，用于控制半导体制冷衬底与RGB-LED的电压输入。

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