东方晶源微电子科技(上海)有限公司管小飞获国家专利权
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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(上海)有限公司申请的专利光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119356040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411746154.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品是由管小飞设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品，应用于光刻技术领域。本方法先两个最佳的预设平面位置；然后基于实际关键尺寸与仿真关键尺寸之间的偏移信息，对最佳预设聚焦平面位置进行补偿。进一步再基于线宽差值确定目标计量平面位置；最终基于目标聚焦平面位置以及目标计量平面位置，建立光刻模型。本实施例所提方案，通过确定偏移信息并对最佳预设聚焦平面进行补偿，消除了实际物理曝光与模型仿真之间的误差，再进一步重新确定最优的计量平面位置，从而能够得到光刻模型准确的建立参数，保证了光刻建模的准确性以及效率。
本发明授权光刻模型的建立方法、装置、设备、介质及产品在权利要求书中公布了：1.一种光刻模型的建立方法，其特征在于，包括： 基于各预设聚焦平面位置以及各预设计量平面位置下，各目标掩膜图形的仿真关键尺寸与实际关键尺寸之间的线宽差值，确定最佳预设聚焦平面位置以及最佳预设计量平面位置； 基于所述最佳预设聚焦平面位置，确定聚焦平面位置区间； 在所述最佳预设计量平面位置下，分别获取各所述目标掩膜图形在所述聚焦平面位置区间内的各聚焦平面位置下，所对应的实际关键尺寸与仿真关键尺寸之间的偏移信息； 基于所述偏移信息，对所述最佳预设聚焦平面位置进行补偿，得到目标聚焦平面位置； 基于所述目标聚焦平面位置以及各所述预设计量平面位置下，各所述目标掩膜图形的仿真关键尺寸与实际关键尺寸之间的线宽差值，确定目标计量平面位置； 基于所述目标聚焦平面位置以及所述目标计量平面位置，建立所述光刻模型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东方晶源微电子科技(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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