中国人民解放军国防科技大学范政伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411486935.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构和装置是由范政伟;侯凯鸿;张书锋;陈永桂;汪亚顺;陈循设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构和装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构和装置，其中，基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构包括：硅衬底和设置在所述硅衬底上的多个TSV测试链路组；所述硅衬底设置有多个测试区块，且每个所述测试区块设置有至少一个所述TSV测试链路组；所述TSV测试链路组中具有多个TSV测试链路，且多个所述TSV测试链路的链路类型为不同的；不同所述测试区块中，相同类型的所述TSV测试链路中的TSV结构的数量为不同的。本方案不仅能够实现单一应力的加载测试，还能够方便且全面地实现对实际的TSV芯片结构进行多应力加载，实现了通过试验手段科学全面且准确地评估TSV结构的可靠性。
本发明授权基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构和装置在权利要求书中公布了：1.基于倒装焊的异构TSV可靠性试验芯片结构，其特征在于，包括：硅衬底11和设置在所述硅衬底11上的多个TSV测试链路组12； 所述硅衬底11设置有多个测试区块，且每个所述测试区块设置有至少一个所述TSV测试链路组12； 所述TSV测试链路组12中具有多个TSV测试链路12a，且多个所述TSV测试链路12a的链路类型为不同的； 在不同所述测试区块之间，属于相同类型的所述TSV测试链路12a所包含的TSV结构的数量为不同的； 所述TSV测试链路12a包括：中心TSV结构12a1和周围TSV结构12a2； 所述周围TSV结构12a2为多个，且多个所述周围TSV结构12a2在以所述中心TSV结构12a1为圆心的圆周上分布。
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