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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535145.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法是由梁世维;王俊;米卢;陈家祺设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法，包括碳化硅肖特基二极管主体、电极部分、肖特基接触部分、P型注入窗口、浮空P岛、深沟槽部分、N型外延层、N型碳化硅衬底，所述电极部分包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极的下方设有肖特基接触部分，所述肖特基接触部分下方的中间设有深沟槽部分，所述深沟槽部分的两侧设有P型注入窗口，所述阴极电极的上方设有N型碳化硅衬底，所述N型碳化硅衬底和肖特基接触部分之间设有N型外延层，所述N型外延层上设有浮空P岛。本发明采用上述的一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法，器件表面和背面结构的共同作用可以有效提升碳化硅二极管的抗单粒子辐射能力。

本发明授权一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构，其特征在于，包括碳化硅肖特基二极管主体、电极部分、肖特基接触部分、P型注入窗口、浮空P岛、深沟槽部分、N型外延层、N型碳化硅衬底，所述电极部分包括阳极电极和阴极电极，所述阳极电极的下方设有肖特基接触部分，所述肖特基接触部分下方的中间设有深沟槽部分，所述深沟槽部分的两侧设有P型注入窗口，所述阴极电极的上方设有N型碳化硅衬底，所述N型碳化硅衬底和肖特基接触部分之间设有N型外延层，所述N型外延层上设有浮空P岛； 所述深沟槽中包括P型掺杂区与P型注入区，所述P型掺杂区位于P型注入区的外侧，所述P型掺杂区内部设有P型杂质，所述P型掺杂区位于深沟槽的侧壁和底部，所述深沟槽中的P型注入区包括N型多晶硅和P型多晶硅，所述N型多晶硅的填充被P型多晶硅的填充包围； 所述深沟槽中的P型掺杂区、P型注入区以及P型注入区内的N型多晶硅、P型多晶硅构成的整体设在P型注入窗口之间，所述深沟槽中的P型掺杂区、P型注入区以及P型注入区内的N型多晶硅、P型多晶硅构成的整体之间设有2-30个P型注入窗口。

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