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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119395798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411731977.0，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法是由程鑫彬;朱静远;董思禹;刘亮;魏泽勇;王占山设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法，该方法通过将电子束的剂量参数分解为平均剂量和剂量差，将光栅参数分解为光栅高度和光栅深度，构建了二者之间的数学模型。通过微分计算和最小二乘法拟合，优化了剂量参数与光栅高度、深度之间的关系，进而实现了目标光栅的高精度制作。具体步骤包括：首先分解剂量和光栅参数，并建立光栅高度、深度与剂量参数之间的第一数学模型；然后通过实验获取关系数据，并利用第二数学模型进行优化计算，最终得出目标光栅对应的剂量参数；最后，根据目标参数制作出低波前误差的双闪耀光栅。该方法能够有效降低波前误差，提高光刻精度，且具有较好的制造一致性，适用于高精度光栅的生产需求。

本发明授权一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法在权利要求书中公布了：1.一种电子束灰度光刻的低波前误差双闪耀光栅制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：将电子束的剂量参数分解为平均剂量与剂量差，将光栅参数分解为光栅高度与光栅深度； 步骤S2：构建光栅高度、光栅深度与平均剂量、剂量差之间的第一数学模型； 步骤S3：根据光栅高度、光栅深度与平均剂量、剂量差之间的第一数学模型生成光栅高度变化量、光栅深度变化量与平均剂量变化量、剂量差变化量之间的第二数学模型； 步骤S4：以单变量实验的形式获取平均剂量、剂量差与光栅高度、光栅深度之间的关系数据； 步骤S5：将关系数据代入第二数学模型通过一次函数拟合求得第二数学模型的系数值，将系数值代入第二数学模型； 步骤S6：获取目标光栅参数，根据目标光栅参数与第二数学模型求得目标光栅对应的剂量参数，根据目标光栅对应的剂量参数制作目标光栅； 所述平均剂量为电子束在光刻区域内的平均曝光强度； 所述剂量差为电子束在光刻区域内最大曝光强度与最小曝光强度之间差值的绝对值； 所述光栅高度、光栅深度与平均剂量、剂量差之间的第一数学模型为： 其中，为光栅深度，为光栅高度，为平均剂量，为剂量差，是平均剂量、剂量差与光栅深度之间的函数，是平均剂量、剂量差与光栅高度之间的函数； 所述步骤S3包括以下步骤：将第一数学模型进行微分，得到第二数学模型； 所述第二数学模型为： 其中，为光栅深度变化量，为光栅高度变化量，为平均剂量变化量，为剂量差变化量，为第一系数，为第二系数，为第三系数，为第四系数。

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