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龙图腾网获悉三住半导体(无锡)有限公司申请的专利晶圆键合区域覆铜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411510914.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权晶圆键合区域覆铜的方法是由冯坤;赵海君设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆键合区域覆铜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种晶圆键合区域覆铜的方法，包括：对晶圆进行清洗、烘干以及溅镀金属层，在铜片的正面贴上第一保护膜，配制金属粘结用浆料并将浆料转印到晶圆的键合区域；将完成浆料转印的晶圆转移至烧结治具中，烧结治具设计有进气口和排气口，将铜片通过对准铜片和晶圆识别标识精准置于晶圆的键合区域，铜片的键合区域贴合浆料的正面，晶圆的相邻键合区域的铜片间距控制在导致晶圆的键合区域短路的距离之内；将覆盖好铜片的晶圆进行烧结；将环氧树脂材料填充在晶圆正面的非键合区域与铜片背面的沟槽之间并进行塑封；除去第一保护膜，将晶圆转移至晶圆分离机内分离晶圆至独立的芯片组件并烘干。本发明可以提高芯片良率、可靠性和稳定性。

本发明授权晶圆键合区域覆铜的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合区域覆铜的方法，其特征是该方法包括以下步骤： S1、对需要覆铜的晶圆进行清洗，清洗完成后，对晶圆进行烘干，烘干完成后，在晶圆的正面溅镀上金属层，形成晶圆正面的键合区域与非键合区域，且金属层的材质为金或银，金属层的厚度为1-10kÅ； S2、提供覆铜用铜片，铜片的背面分为键合区域与非键合区域，所述铜片的非键合区域已经进行过刻蚀并形成沟槽，在铜片的正面贴上第一保护膜； S3、配制金属粘结用浆料并将浆料转印到晶圆的键合区域； 步骤S3具体为： S311、配制金属粘结用湿式浆料，湿式浆料由金属粉末与悬浮剂混合而成，金属粉末在湿式浆料中的质量分数为50%-95%，金属粉末的粒径为10nm-100μm，金属粉末包括银、铜、钯、铑、镍中的一种或其混合物，悬浮剂包括乙二醇、十三醇、卤化醇或者二元脂； S312、将湿式浆料通过点胶、喷胶或者丝网印刷工艺转印到晶圆正面的键合区域，湿式浆料的涂敷厚度控制在10μm-100μm； S313、将涂敷好湿式浆料的晶圆置于烘箱内进行半固化烘烤，半固化烘烤温度控制在100-180℃、半固化烘烤时间控制在30-90分钟、烘箱内氧气含量控制在小于500ppm，半固化烘烤完成后，湿式浆料形成湿式浆料块； 或者，步骤S3具体为： S321、配制金属粘结用干式浆料，干式浆料由金属粉末与保护剂混合而成，金属粉末在干式浆料中的质量分数为50%-99%，金属粉末的粒径为10nm-100μm，金属粉末包括银或者铜，保护剂为酰胺或者乙二胺； S322、将干式浆料涂敷在转印膜上，通过滚轮制备成厚度均匀的干制浆料转印膜； S323、通过倒模治具，将对应晶圆正面的非键合区域的干式浆料移出转印膜，得到干式浆料块；或者，通过激光刻蚀的方法将晶圆正面的非键合区域的干式浆料切割掉，得到干式浆料块； S324、通过转印膜上的定位孔，将转印膜和晶圆键合区域精准对位，将干式浆料块在100-170℃温度条件下并在单块干式浆料块受1-15MPa压强条件下转印到晶圆正面的键合区域，转印完成后，揭去转印膜； S4、将完成浆料转印的晶圆转移至烧结治具中，烧结治具的底部覆盖具有支撑性的软性材料，烧结治具设计有进气口和排气口，将步骤S2的铜片通过对准铜片和晶圆识别标识精准置于晶圆的键合区域，铜片的键合区域贴合浆料的正面，晶圆的相邻键合区域的铜片间距控制在大于能导致晶圆的键合区域短路的距离； S5、将覆盖好铜片的晶圆进行烧结； S6、将环氧树脂材料均匀填充在晶圆正面的非键合区域与铜片之间的沟槽之间并进行塑封； S7、除去第一保护膜，将晶圆转移至晶圆分离机内，依据晶圆的切割道分离晶圆至独立的芯片组件； S8、烘干分离后的芯片组件，芯片组件包括铜片、芯片、浆料块与环氧树脂密封料，芯片的正面与浆料块的背面相连，浆料块的正面与铜片的背面相连，环氧树脂密封料密封芯片与浆料块之间以及浆料块与铜片之间的间隙。

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