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龙图腾网获悉华润微电子(重庆)有限公司申请的专利一种沟槽栅功率MOSFET及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310935947.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种沟槽栅功率MOSFET及其制作方法是由李平设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅功率MOSFET及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽栅功率MOSFET及其制作方法，其中形成了宽度大于沟槽结构宽度的接触孔，即便随着元胞尺寸的缩小，依旧能确保元胞内的金属半导体接触孔第二接触孔的宽度较宽，从而能保证在进行铂金属淀积时，能够顺利地淀积到接触孔内半导体的表面，实现铂扩散以降低漂移区内的非平衡载流子数量，从而降低反向恢复损耗。本发明中较宽的接触孔并不需要额外的制造工艺，同时能够降低芯片表面的热阻，提升芯片的散热能力。另外，本发明可以通过控制接触孔刻蚀工艺使得较宽的接触孔同时与体区、体接触区接触以形成两种体二极管，从而降低反向恢复损耗并保证体二极管的浪涌能力。此外，本发明通过MOS沟道的调整能够实现更优的器件优值。

本发明授权一种沟槽栅功率MOSFET及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅功率MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成漂移层于衬底层上，并形成在水平方向上交替且间隔排布的第一沟槽结构与第二沟槽结构于所述漂移层中，所述第一沟槽结构与所述第二沟槽结构均自所述漂移层的顶面起始并往下延伸，所述第一沟槽结构中具有栅电极与第一埋源电极，所述第二沟槽结构中具有第二埋源电极； 形成体区于所述漂移层的上表层，并形成源接触区于所述体区的上表层； 形成层间介质层于所述漂移层上方，所述层间介质层覆盖所述第一沟槽结构、所述第二沟槽结构及所述源接触区； 形成在水平方向上交替且间隔排布的第一接触孔与第二接触孔，所述第一接触孔的宽度小于所述第一沟槽结构的宽度，所述第一接触孔垂向贯穿所述层间介质层并往下延伸进所述第一埋源电极中，所述第二接触孔的宽度大于所述第二沟槽结构的宽度，所述第二接触孔垂向贯穿所述层间介质层并往下延伸进所述第二沟槽结构中及所述第二沟槽结构两侧的所述体区中； 经由所述第二接触孔形成体接触区于所述体区中，所述体接触区与所述源接触区邻接； 经由所述第二接触孔在所述漂移层中掺杂铂； 形成第一接触部于所述第一接触孔中，形成第二接触部于所述第二接触孔中； 形成源极金属层于所述层间介质层上，所述源极金属层连接所述第一接触部及所述第二接触部。

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