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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利超结MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411445572.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权超结MOSFET器件是由刘风采;肖胜安;曾大杰设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超结MOSFET器件，源区顶部的第一接触孔直接由填充于第一接触孔开口的正面金属层的材料层组成，正面金属层的材料采用AlSiCu且AlSiCu中的Si含量达到饱和值之上；第一接触孔的AiSiCu直接和源区和第二导电类型阱的第一外延层的半导体材料形成欧姆接触，利用AlSiCu中的Si含量达到饱和值之上的特征，防止A1Cu直接和第一外延层的半导体材料相接触时形成尖凸缺陷；利用AlSiCu的电阻率大于AlCu的电阻率的特征，增加体二极管的正向导通压降并改善器件的反向恢复特性。本发明能降低反向恢复电荷，改善器件的反向恢复特性。

本发明授权超结MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，包括： 形成于第一导电类型掺杂的第一外延层中的超结结构，所述超结结构包括交替排列的第一导电类型柱和第二导电类型柱； 所述超结结构底部的第一外延层作为缓冲层； 在有源区中，在所述超结结构的顶部区域形成有多个并联的器件单元结构； 所述器件单元结构包括栅极结构、第二导电类型阱和第一导电类型重掺杂的源区； 所述第二导电类型阱形成于所述第二导电类型柱的顶部区域中并延伸到所述第一导电类型柱中，漂移区包括位于所述第二导电类型阱外部或底部的所述第一导电类型柱和所述缓冲层； 被所述栅极结构所覆盖的所述第二导电类型阱的表面用于形成导通所述源区和所述漂移区的导电沟道； 体二极管为所述第二导电类型阱和所述漂移区形成的寄生二极管； 所述源区和所述第二导电类型阱的顶部通过第一接触孔连接到由正面金属层组成的源极金属；所述第一接触孔穿过所述源区和所述第二导电类型阱接触； 所述第一接触孔直接由填充于第一接触孔开口的所述正面金属层的材料层组成，所述正面金属层的材料采用AlSiCu且AlSiCu中的Si含量达到饱和值之上；所述第一接触孔的AiSiCu直接和所述源区和所述第二导电类型阱的所述第一外延层的半导体材料形成欧姆接触，利用AlSiCu中的Si含量达到饱和值之上的特征，防止A1Cu直接和所述第一外延层的半导体材料相接触时形成尖凸缺陷；利用AlSiCu的电阻率大于AlCu的电阻率的特征，增加所述体二极管的正向导通压降并改善器件的反向恢复特性。

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