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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于PN结的光电突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411551801.7，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种基于PN结的光电突触器件及其制备方法是由李成;陈亚博;危波;曾俊炜设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于PN结的光电突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于PN结的光电突触器件及其制备方法，目的是解决二维半导体材料光电突触器件只能在单一模式下工作，不能实现明暗视觉自适应的问题。本发明光电突触器件由衬底、源极、二维n型半导体薄膜、栅极、二维p型半导体薄膜、漏极组成。制备方法是采用正光响应n型二维半导体材料制备二维n型半导体薄膜，采用负光响应p型二维半导体材料制备二维p型半导体薄膜，栅极将2个薄膜串联成PN结，二维n型半导体薄膜模拟生物耦合机制中的光兴奋产生单元，二维p型半导体薄膜模拟光抑制产生单元。本发明在一体器件中实现了非单调光响应，能有效模拟生物耦合机制实现明暗视觉自适应，结构简单、功耗低，制备方法工艺复杂度低，成本低。

本发明授权一种基于PN结的光电突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PN结的光电突触器件，其特征在于基于PN结的光电突触器件由衬底1、源极2、二维n型半导体薄膜3、栅极4、二维p型半导体薄膜5、漏极6组成；衬底1上表面从左至右依次放置有源极2、二维n型半导体薄膜3、栅极4、二维p型半导体薄膜5、漏极6；源极2的右侧连接二维n型半导体薄膜3；二维n型半导体薄膜3左侧连接源极2，右侧连接栅极4；栅极4左侧连接二维n型半导体薄膜3，右侧连接二维p型半导体薄膜5；二维p型半导体薄膜5左侧连接栅极4，右侧连接漏极6；漏极6左侧连接二维p型半导体薄膜5；二维n型半导体薄膜3和二维p型半导体薄膜5通过栅极4串联组成一个PN结；一个PN结构成一个光电突触实现光照条件下的非单调的光响应，实现不同明暗条件下的视觉自适应功能； 衬底1为矩形体，采用SiO2材料制备，衬底1的上表面的面积大于承载源极2、二维n型半导体薄膜3、栅极4、二维p型半导体薄膜5、漏极6的下表面总面积； 二维p型半导体薄膜5采用负光响应p型二维半导体材料制备，宽度为w5，长度为l5，厚度为h5，作为基于PN结的光电突触器件的p型沟道，其光照条件下负光电导效应用于模拟生物耦合机制中光抑制单元； 二维n型半导体薄膜3采用具有正光响应n型二维半导体材料制备，长度为l3，宽度为w3，厚度为h3，作为基于PN结的光电突触器件的n型导电沟道，其光照条件下正光电导效应用于模拟生物耦合机制中光兴奋单元； 源极2、栅极4和漏极6均为矩形体，采用金属制备，厚度均为h1；源极2的右侧覆盖在二维n型半导体薄膜3上，漏极6的左侧覆盖在二维p型半导体薄膜5上，栅极4左侧覆盖在二维n型半导体薄膜3上，右侧覆盖在二维p型半导体薄膜5上。

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