云南大学;华彩光能科技(云南)有限公司张文华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉云南大学;华彩光能科技(云南)有限公司申请的专利一种ALD制备高质量SnO2非晶-纳米柱异质相的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411539986.X，技术领域涉及：H10K71/30；该发明授权一种ALD制备高质量SnO2非晶-纳米柱异质相的方法及其应用是由张文华;沈晓泱;刘挺丰;葛仕凤;薛宝;赵荣梅;徐钊为;李昕悦设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ALD制备高质量SnO2非晶-纳米柱异质相的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ALD制备高质量SnO2非晶‑纳米柱异质相的方法及其应用，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域，包括以下步骤：S1、提供衬底并对其进行预处理得到预处理后的衬底；S2、在预处理后的衬底上旋涂氧化锡纳米晶溶液得到预处理膜层；S3、对预处理膜层表面进行等离子体溅射刻蚀得到第一处理件；S4、将第一处理件放入ALD中预热，使用四乙基锡和H2O2作为反应源，在第一处理件表面生长氧化锡纳米晶，控制腔室反应温度和沉积速度得到氧化锡非晶‑纳米柱异质相，完成制备。本发明还包括该种方法的应用，用于钙钛矿太阳能电池的制备。本方法简化了制备过程，对环境友好，且制备的异质相内部缺陷少，器件性能更为优越。
本发明授权一种ALD制备高质量SnO2非晶-纳米柱异质相的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种ALD制备高质量SnO2非晶-纳米柱异质相的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供衬底并对其进行预处理得到预处理后的衬底；S2、在预处理后的衬底上旋涂氧化锡纳米晶溶液得到预处理膜层；S3、对预处理膜层表面进行等离子体溅射刻蚀得到第一处理件；S4、将第一处理件放入ALD中预热，使用四乙基锡和H2O2作为反应源，在第一处理件表面生长氧化锡纳米晶，控制腔室反应温度和沉积速度得到氧化锡非晶-纳米柱异质相，完成制备。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人云南大学;华彩光能科技(云南)有限公司，其通讯地址为：650091 云南省昆明市五华区翠湖北路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励