上海积塔半导体有限公司刘靖获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利存储器的制备方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411496006.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权存储器的制备方法及存储器是由刘靖;洪明杰;董琳娜;孙林林;赖圣明设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的制备方法及存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种存储器的制备方法及存储器，所述方法包括：形成第一金属层和位于所述第一金属层的一侧的第一保护层；于所述第一保护层背离所述第一金属层的一侧形成存储单元阵列结构，所述阵列结构与所述第一金属层通过第一金属连接层电连接；于所述阵列结构背离所述第一金属层的一侧形成第二保护层，通过侧壁刻蚀技术，减小所述第二保护层的厚度，得到存储单元保护侧壁；通过化学气相沉积工艺填充形成第三保护层，所述第三保护层对应于相邻两个存储单元之间的位置形成有台阶结构；于所述第三保护层背离所述阵列结构的一侧沉积氧化层，所述氧化层和所述第三保护层之间形成有空气间隙。本申请提高了存储器的性能和制备效率。
本发明授权存储器的制备方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括： 形成第一金属层和位于所述第一金属层的一侧的第一保护层； 于所述第一保护层背离所述第一金属层的一侧形成存储单元阵列结构，所述阵列结构与所述第一金属层通过第一金属连接层电连接； 于所述阵列结构背离所述第一金属层的一侧形成第二保护层，通过侧壁刻蚀技术，减小所述第二保护层的厚度，得到存储单元保护侧壁； 通过化学气相沉积工艺填充形成第三保护层，所述第三保护层对应于相邻两个存储单元之间的位置形成有台阶结构； 于所述第三保护层背离所述阵列结构的一侧沉积氧化层，所述氧化层和所述第三保护层之间对应于所述台阶结构的位置形成有空气间隙。
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