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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446916B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310951237.7，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法是由梁奎;周祖源设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法，通过在第一半导体基底的正面进行氧离子注入，经过高温退火之后氧离子与硅反应形成第一氧化硅层，在进行研磨时第一氧化硅层替代锗硅层作为减薄停止层，而在第一半导体基底的正面生长外延硅并在外延硅上制备STI沟槽和掩埋式电源轨，并在第一半导体基底的背面形成纳米硅通孔与掩埋式电源轨电连接，由于在第一半导体基底的正面生长外延硅的技术要求相比于在第一半导体基底的正面外延锗硅层更简单，在实际生产过程中更加容易控制，再加上无需再使用湿法刻蚀溶液去除锗硅层，从而不会对晶圆产生损伤，大幅度提高了生产良率，进一步地，外延硅对设备的要求相对较低，从而降低了生产成本。

本发明授权一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供第一半导体基底，所述第一半导体基底包括相对设置的正面及背面； 于所述第一半导体基底的正面进行氧离子注入并进行高温退火工艺以在所述第一半导体基底内形成第一氧化硅层，所述第一氧化硅层将所述第一半导体基底分为第一区域和第二区域； 于所述第一区域的上表面形成外延硅层； 在所述外延硅层上形成有源区以及实现将有源区进行隔离的多个STI沟槽； 于所述多个STI沟槽之间形成掩埋式电源轨，并将所述第一半导体基底进行倒置； 提供第二半导体基底并于所述第二半导体基底的正面形成第二氧化硅层； 将所述第二氧化硅层与所述有源区进行键合并对所述第一半导体基底的背面进行研磨，去除所述第二区域以显露所述第一氧化硅层； 刻蚀去除所述第一氧化硅层以显露所述第一区域； 对所述第一区域进行蚀刻以形成硅通孔，并对所述硅通孔填充形成与所述掩埋式电源轨电连接的导电接触件，其中，所述导电接触件的顶面与所述第一区域的顶部齐平。

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