天津工业大学胡云霞获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利聚(醚)砜族嵌段共聚物分离膜、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119455692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411734478.7，技术领域涉及：B01D69/10；该发明授权聚(醚)砜族嵌段共聚物分离膜、制备方法及应用是由胡云霞;刚铭均;张雨;王军鹏设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚(醚)砜族嵌段共聚物分离膜、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提出聚醚砜族嵌段共聚物分离膜及制备方法，所述的分离膜包括多孔基底及依次位于多孔基底上的支撑层和致密分离层，且支撑层和致密分离层为由聚醚砜族嵌段共聚物构成的连续结构；并且所述致密分离层厚度小于100nm，平均膜孔径小于10nm；所述致密分离层表面氧与氮元素含量大于17％；所述分离膜的孔隙率大于85％；所述分离膜中不含致孔剂，无溶出物；本发明所述的聚醚砜族嵌段共聚物分离膜可用于液体与气体的分离与纯化。
本发明授权聚(醚)砜族嵌段共聚物分离膜、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.聚砜族或聚醚砜族嵌段共聚物分离膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1、配置由15wt.%~35wt.%聚砜族或聚醚砜族嵌段共聚物和65wt.%~85wt.%复合溶剂组成的铸膜液，其中复合溶剂由聚砜族或聚醚砜族族嵌段共聚物不同嵌段的良溶剂和一种嵌段的选择性溶剂组成，且铸膜液和复合溶剂均存在上临界会溶温度，所述的上临界会溶温度均不低于30℃，同时配置的铸膜液温度高于所述上临界会溶温度； 2、在多孔基底表面涂覆铸膜液，并降温至铸膜液上临界会溶温度上下不超过20℃，诱导铸膜液发生微相分离，其微相分离尺寸小于100nm； 3、将涂好的铸膜液浸入凝固浴中进行相转化制得平均膜孔径小于10nm的聚砜族或聚醚砜族嵌段共聚物分离膜。
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