武汉理工大学李宝文获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种硅掺杂的二氧化铪薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411608271.5，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权一种硅掺杂的二氧化铪薄膜及其制备方法是由李宝文;蔡浏熠;章嵩;孙在春;涂溶;张联盟设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅掺杂的二氧化铪薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅掺杂的二氧化铪薄膜及其制备方法，属于薄膜材料制备领域。其制备：将称取的粉末前驱体放于前驱体罐中；将单晶硅基板放于化学气相沉积装置中，抽真空并加热；其中：原料罐的目标温度为200‑250℃，基板的目标温度为810‑1100℃，两者以相同时间达到目标温度；即将到达目标温度时，将前驱体蒸气用载气输送单晶硅基板表面，并通入反应气和稀释气，调节至沉积压强，开始反应；反应结束即得硅掺杂的二氧化铪薄膜，包含有四方相二氧化铪。该方法可稳定调控二氧化铪薄膜的硅掺杂量，从而调控四方相的含量，所得薄膜结构连续均匀，厚度可控，为化学气相沉积法制备四方相的二氧化铪薄膜提供了简单高效的手段。
本发明授权一种硅掺杂的二氧化铪薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅掺杂的二氧化铪薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将称取的粉末前驱体放于前驱体罐中；将单晶硅基板放于化学气相沉积装置中，抽真空至10Pa以下，同时开始加热前驱体罐和单晶硅基板；其中：前驱体为乙酰丙酮铪粉末；前驱体罐加热的目标温度为200-250℃，基板加热的目标温度为810-1100℃，前驱体罐和单晶硅基板以相同时间达到目标温度； 2即将到达目标温度前50-70s，将前驱体罐中的前驱体蒸气用载气输送至沉积装置中单晶硅基板表面，并通入反应气和稀释气，调节至沉积压强，设定沉积时间开始反应；其中，载气通入流量为25～200sccm，反应气通入流量为10～20sccm；反应结束即得硅掺杂的二氧化铪薄膜，其中包含有四方相二氧化铪。
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