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龙图腾网获悉中国人民解放军火箭军工程大学申请的专利一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471530B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411626078.4，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法是由张金生;马啸宇;廖守亿;李婷设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法在说明书摘要公布了：本发明涉及三维地磁场实时模拟技术领域，尤其涉及一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法。包括：S1，对通入的直流电流进行采集，并获取各电流值下的对应的单轴磁场强度，形成单轴下，电流与磁场的单轴拟合函数；S2，进行数据误差验证，基于数据误差验证结果确定单轴拟合关系式的电流划分段；S3，确定各电流划分段的拟合函数，并通过迭代确定所述各电流划分段的拟合函数的衔接，生成电流与磁场的单轴优化函数；S4，对于单个维度，获取各电流值下的对应的其他两轴的磁场强度，形成单轴下的单轴影响拟合函数；S5，生成单轴电流拟合函数；该标校方法能够排除磁滞现象与耦合现象对于生成磁场的影响，实现了模拟地磁场的高精度标校。

本发明授权一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法在权利要求书中公布了：1.一种用于三维地磁场实时模拟的高精度标校方法，其特征在于，包括： 步骤S1，对通入三维亥姆霍兹线圈的直流电流进行采集，并获取各电流值下的对应的单轴磁场强度，形成单轴下，电流与磁场的单轴拟合函数； 步骤S2，基于所述单轴拟合函数进行数据误差验证，基于数据误差验证结果确定单轴拟合关系式的电流划分段； 步骤S3，根据所述电流划分段确定各电流划分段的拟合函数，并通过迭代确定所述各电流划分段的拟合函数的衔接，生成电流与磁场的单轴优化函数，其中，各电流划分段的拟合函数的电流取样步长根据该电流划分段的数据误差设定，电流取样步长与所述数据误差成反比关系，各电流划分段的拟合函数采用最小二乘法分别进行线性拟合和非线性拟合，根据生成的线性拟合函数和非线性拟合函数的验证误差确定各电流划分段的优化拟合函数，各电流划分段的拟合函数的电流取样步长根据该电流划分段的数据误差设定，电流取样步长与所述数据误差成反比关系； 步骤S4，对于单个维度，获取各电流值下的对应的其他两轴的磁场强度，形成单轴下，单轴电流分别与其他两轴磁场的单轴影响拟合函数，其中，根据其他两轴的各输入电流值与各电流值下的对应的在其他两轴生成的磁场强度，计算出单轴电流分别与其他两轴磁场的单轴影响拟合函数对应的拟合系数，并生成所述单轴影响拟合函数，进而计算出单轴实际需求磁场强度； 步骤S5，基于其他两轴磁场的所述单轴影响拟合函数以及所述单轴优化函数生成单轴电流拟合函数，用以计算设定三维磁场的实际输入电流。

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