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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十四研究所;中电科芯片技术(集团)有限公司申请的专利分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411824505.X，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法是由高煜寒;罗杰仙;瞿鹏飞;孙力军;张妮;邢光琴;张永恒;郭安然设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法，包括：取一具有电吸收型调制器和波导的衬底，在衬底上形成带有定位结构的自对准微腔；在自对准微腔中制作微腔金属薄膜电极和焊料层；在分布式反馈激光器上制作自对准标记；将分布式反馈激光器放入自对准微腔中，采用倒扣焊键合工艺完成分布式反馈激光器和电吸收型调制器波导的自对准高精度光路耦合。本发明中，通过在衬底上制作具有定位结构的自对准微腔和在分布式反馈激光器上制作自对准标记对DFB与EAM进行自对准片上异构集成，实现了高效、稳定、紧凑的光路耦合，具有耦合效率高、成本低、周期短、结构紧凑的优点，是实现优异单色性和高速调制光源的理想选择。

本发明授权分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法在权利要求书中公布了：1.一种分布式反馈激光器与电吸收型调制器波导的耦合方法，其特征在于，包括以下步骤： 取一衬底，所述衬底上形成有电吸收型调制器和波导； 在所述衬底上对应波导的输入耦合端面的位置处形成带有定位结构的自对准微腔，所述自对准微腔的形状和尺寸与分布式反馈激光器的形状和尺寸相适配； 在所述自对准微腔中对应激光器金属薄膜电极下方的位置处制作微腔金属薄膜电极，并在微腔金属薄膜电极上制作焊料层； 在分布式反馈激光器上制作自对准标记，所述自对准标记的形状与定位结构的形状相适配，以便于对分布式反馈激光器进行限位，使分布式反馈激光器出光口与电吸收型调制器的波导对准； 将分布式反馈激光器放入自对准微腔中，所述分布式反馈激光器在定位结构的限位作用下，其输出端自动与波导的输入耦合端面对准； 采用倒扣焊键合工艺完成分布式反馈激光器和电吸收型调制器波导的自对准高精度光路耦合； 所述分布式反馈激光器具有相对设置的第一侧面和第二侧面，所述定位结构包括在自对准微腔中对应分布式反馈激光器第一侧面的位置处设置的至少两个第一支撑柱和对应分布式反馈激光器第二侧面的位置处设置的至少两个第二支撑柱； 所述自对准标记包括设置在分布式反馈激光器第一侧面上的至少两个第一侧面定位槽以及设置在分布式反馈激光器第二侧面上的至少两个第二侧面定位槽；所述第一侧面定位槽和第一支撑柱一一对应，所述第二侧面定位槽和第二支撑柱一一对应，所述第一侧面定位槽和第二侧面定位槽均为刻蚀在分布式反馈激光器底面的半通槽； 还在第一支撑柱和第二支撑柱的表面淀积SiN薄膜，通过控制SiN薄膜的厚度对第一支撑柱和第二支撑柱的高度以及第一支撑柱和第二支撑柱之间的高度差进行补偿。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十四研究所;中电科芯片技术(集团)有限公司，其通讯地址为：400060 重庆市南岸区南坪花园路14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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