浙江创芯集成电路有限公司任堃获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480661B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311006924.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权检测方法是由任堃;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测方法在说明书摘要公布了：一种检测方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有掺杂离子；对半导体结构进行取样处理，获取测试样品，所述测试样品包括测试端和接电端，所述测试样品的测试端包括第一掺杂区；采用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂离子的分布的三维轮廓。所述方法能够提升半导体结构的性能。
本发明授权检测方法在权利要求书中公布了：1.一种检测方法，其特征在于，包括： 提供半导体结构，所述半导体结构包括第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有掺杂离子； 对半导体结构进行取样处理，获取测试样品，所述测试样品包括测试端和接电端，所述测试样品的测试端包括第一掺杂区； 采用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂离子的分布的三维轮廓，采用原子探针断层分析术获取第一掺杂区内掺杂离子的分布的三维轮廓的方法包括：采用高电压加载模块在所述测试样品的接电端加载高电压；采用脉冲激光加载模块对测试样品的测试端加载脉冲激光，使测试端表面的离子逸出；采用加速电极对逸出离子进行加速使逸出离子运动至位置敏感探测器，所述逸出离子包括掺杂离子；分析模块根据位置敏感探测器捕获的逸出离子的信息，获取逸出离子在三维尺度上的种类分布、逸出离子在测试端的位置以及逸出离子在测试端的浓度分布；根据逸出离子在三维尺度上的种类分布、逸出离子在测试端的位置以及逸出离子在测试端的浓度分布，获取掺杂离子在第一掺杂区内分布的三维轮廓。
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