武汉脉冲芯电子科技有限公司刘彤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉脉冲芯电子科技有限公司申请的专利一种高度对称的均流碳化硅功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119480856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411615234.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种高度对称的均流碳化硅功率模块是由刘彤;项卫光设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高度对称的均流碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本申请提供了一种高度对称的均流碳化硅功率模块，属于电力电子器件技术领域，其中，第一导电功率层和第二导电功率层为叉指结构，两者嵌套设置；第一导电功率层和第二导电功率层的叉指总个数为奇数；第一导电功率层和第二导电功率层均关于DC+导电功率层和DC‑导电功率层的中线对称；碳化硅功率芯片对称放置在第一导电功率层和第二导电功率层上；碳化硅功率芯片流经第一导电功率层和第二导电功率层的电流大小相等，且方向相反；本申请采用的碳化硅功率模块在空间上全部组件呈高度对称状态，使得该模块在运行时流过所有碳化硅功率芯片的电流相等，保证所有芯片运行条件相同，解决了多芯片模块均流问题。
本发明授权一种高度对称的均流碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种高度对称的均流碳化硅功率模块，其特征在于，包括：DC+导电功率层、DC-导电功率层、栅极导电功率层、AC导电功率层、第一导电功率层和第二导电功率层； 按照顺时针方向依次设置有DC+导电功率层、栅极导电功率层、DC-导电功率层和AC导电功率层围成矩形；第一导电功率层和第二导电功率层为叉指结构，两者嵌套设置；第一导电功率层和第二导电功率层的叉指总个数为奇数；第一导电功率层和第二导电功率层均关于DC+导电功率层和DC-导电功率层的中线对称； 碳化硅功率芯片对称放置在第一导电功率层和第二导电功率层上；碳化硅功率芯片流经第一导电功率层和第二导电功率层的电流大小相等，且方向相反； DC+导电功率层、DC-导电功率层、栅极导电功率层和AC导电功率层分别用于作为碳化硅功率芯片的DC+极的连接层、DC-极的连接层、栅极连接层以及AC极的连接层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉脉冲芯电子科技有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2楼2020(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励