中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王阳获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486136B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310994228.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置是由王阳;蔺黎;徐蓓华;钟怡;董天化;曾红林设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置。方法包括：提供初始半导体结构；形成位于控制栅结构的侧壁的侧墙结构、位于擦除栅区的至少一层隧穿氧化层以及位于逻辑区域的栅氧化层；栅氧化层包括第一类栅氧化层和第二类栅氧化层，栅氧化层与侧墙结构和隧穿氧化层同步形成；基于侧墙结构形成目标间隙氧化层，以及基于第一类栅氧化层形成目标第一类栅氧化层，以及基于隧穿氧化层形成目标隧穿氧化层，以及基于第二类栅氧化层形成目标第二类栅氧化层，得到目标半导体结构。基于层叠的侧墙来制备间隙氧化层，可以实现对间隙氧化层厚度的精准控制，从而提高间隙氧化层的均一性。
本发明授权半导体结构的形成方法、半导体结构、器件及装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供初始半导体结构；所述初始半导体结构包括闪存区域和逻辑区域；所述闪存区域包括控制栅区和擦除栅区，所述控制栅区的表面上形成有控制栅结构；所述逻辑区域包括第一类逻辑栅区和第二类逻辑栅区； 形成位于所述控制栅结构的侧壁的侧墙结构、位于所述擦除栅区的至少一层隧穿氧化层以及位于所述逻辑区域的栅氧化层；所述栅氧化层包括位于第一类逻辑栅区的至少一层第一类栅氧化层以及位于第二类逻辑栅区的至少一层第二类栅氧化层，所述栅氧化层与所述侧墙结构和所述隧穿氧化层同步形成； 基于所述侧墙结构形成目标间隙氧化层，以及基于所述第一类栅氧化层形成目标第一类栅氧化层，以及基于所述隧穿氧化层形成目标隧穿氧化层，以及基于所述第二类栅氧化层形成目标第二类栅氧化层，得到目标半导体结构。
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