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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种多组元结构梯度材料的制备方法及梯度结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119502331B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411809821.X，技术领域涉及：B29C64/118；该发明授权一种多组元结构梯度材料的制备方法及梯度结构是由罗国强;刘之强;武子祺;陈欣雨;赵悦;张睿智;张建;沈强设计研发完成，并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多组元结构梯度材料的制备方法及梯度结构在说明书摘要公布了：本发明提出了一种多组元结构梯度材料的制备方法及梯度结构，涉及功能梯度结构设计技术领域，包括通过仿真软件构建组分梯度模型和结构梯度模型，其中，组分梯度模型包括多个密度不同的单组分圆片，结构梯度模型包括多个大小一致的调控结构基元；将多个调控结构基元以预设排列方式设置于组分梯度模型的上表面，从而组成多组元梯度结构模型，结构基元模型的截面积由背离组分梯度模型方向朝靠近组分梯度模型方向逐渐增大；基于打印参数和3D打印技术，制备与多组元梯度结构模型对应的多组元梯度结构，其中，打印参数包括单组分圆片层厚、曝光强度以及打印速度，本发明有助于改善结构梯度材料的阻抗可调控范围。

本发明授权一种多组元结构梯度材料的制备方法及梯度结构在权利要求书中公布了：1.一种多组元结构梯度材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 通过仿真软件构建组分梯度模型和结构梯度模型，其中，所述组分梯度模型包括多个密度不同的单组分圆片，所述结构梯度模型包括多个大小一致的调控结构基元； 所述调控结构基元的希尔函数和阻抗变化函数分别为： fx=f0+R×xhxh+Kh Zx=k×ρ×Cb×[fx]2 其中，fx表示所述调控结构基元的希尔函数，x表示结构梯度材料距离低密度端的厚度坐标，f0表示实际制备结构基元尖端最小半径，R表示调控阻抗变化范围，K表示阻抗变化跨度的比例系数，h表示调控阻抗变化形式的希尔系数，Zx表示距离初始层x厚度位置处的阻抗变化函数，ρ表示距离初始层x厚度位置处的材料密度，Cb表示距离初始层x厚度位置处的常压声速，k表示阻抗变化比例系数； 将多个所述调控结构基元以预设排列方式设置于所述组分梯度模型的上表面，从而组成多组元梯度结构模型，所述结构基元模型的截面积由背离所述组分梯度模型方向朝靠近所述组分梯度模型方向逐渐增大； 基于打印参数和3D打印技术，制备与所述多组元梯度结构模型对应的多组元梯度结构，其中，所述打印参数包括所述单组分圆片层厚、曝光强度以及打印速度。

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