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龙图腾网获悉青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请的专利金属填充沟槽结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311082655.3，技术领域涉及：H01L21/321；该发明授权金属填充沟槽结构及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属填充沟槽结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属填充沟槽结构及其制备方法，通过在第一、第二金属层之间设置绝缘膜层，在采用涡电流传感器对金属填充沟槽进行CMP工艺过程中，先对第二金属层进行研磨，由于绝缘膜层的绝缘作用，可以屏蔽沟槽中第一金属层产生的涡轮电流噪声，提高对第二金属层研磨的Endpoint终点抓取准确性；同时，尤其在对晶圆表面的第一金属层进行研磨时，同样由于绝缘膜层的绝缘作用，且使绝缘膜层在沟槽区域的最低点位于沟槽顶部‑500nm～500nm的位置处，可有效屏蔽沟槽中的第一金属层产生的涡轮电流噪声对晶圆表面第一金属层研磨时涡轮电流的影响，提高Endpoint终点抓取准确性；再者，可整体改善涡轮电流信号，增强自动调整晶圆表面均匀性的CLC和RTPC功能。

本发明授权金属填充沟槽结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属填充沟槽结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供晶圆，且所述晶圆上形成有沟槽； 于所述晶圆上及所述沟槽中形成叠层膜结构，且所述叠层膜结构的一部分膜层填充满所述沟槽；其中，所述叠层膜结构依次包括：第一金属层，填充于所述沟槽中及所述晶圆上，且在沟槽区域及与其临近的晶圆区域上呈内凹陷状；绝缘膜层，沉积于所述第一金属层表面，所述绝缘膜层在所述沟槽区域的最低点位于所述沟槽顶部-500nm～500nm的位置处；与所述第一金属层同质的第二金属层，沉积于所述绝缘膜层上，且所述第一金属层、绝缘膜层及第二金属层保形性依次嵌套； 使设置于研磨台内部的涡电流式传感器与所述研磨台一起旋转； 通过研磨头将形成有所述叠层膜结构的所述晶圆按压于旋转的所述研磨台上的研磨垫以对所述晶圆表面的所述的叠层膜结构进行研磨，其中研磨过程包括三步：第一步，研磨所述第二金属层，并通过所述涡电流式传感器对所述第二金属层的研磨的结束进行第一次研磨终点检测；第二步，研磨所述绝缘膜层及所述第一金属层，并通过所述涡电流式传感器对所述第一金属层的研磨的结束进行第二次研磨终点检测；第三步，研磨所述晶圆及所述沟槽预设时间以使所述沟槽深度达到预设要求。

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