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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种立方硒化锡基热电晶体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119530948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726252.2，技术领域涉及：C30B11/00；该发明授权一种立方硒化锡基热电晶体及其制备方法是由王泓翔;王洪超;李志昊设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种立方硒化锡基热电晶体及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种立方硒化锡基热电晶体及其制备方法，涉及晶体合成技术领域。制备方法包括步骤：称取锡、银、锑和硒单质置入第一容器中，抽真空并密封；将第一容器升温到953～1373K保温15～30h；降温后取出合金锭，置入第二容器中抽真空并密封；将第二容器升温到973～1373K保温5～30h，之后以第一降温速率降温至923～1173K，之后以第二降温速率降温至873～923K,之后以第三降温速率降温至室温。本发明制备了块状的立方硒化锡单晶材料，实现了极高的晶粒取向度，能够获得高性能热电材料。

本发明授权一种立方硒化锡基热电晶体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种立方硒化锡基热电晶体的制备方法，其特征在于，步骤包括： S1、根据化学计量比称取锡、银、锑和硒单质置入第一容器中，抽真空并密封第一容器；所述第一容器包括外层第一密封管和置于其中的内层第一密封管，所述锡、银、锑和硒单质置于内层第一密封管中；内层第一密封管为石英玻璃管，外层第一密封管为石英玻璃管； S2、将所述第一容器升温到953~1373K保温15~30h，降温至773~923K保温15~30h；S2中，升温速率为0.5~10Kmin，降温速率为1~10Kmin；S2中，升温与降温之间的保温过程中进行摇摆熔炼； S3、取出所述第一容器中的合金锭，破碎后置入第二容器中，抽真空并密封第二容器； S4、将所述第二容器升温到973~1373K保温5~30h，以第一降温速率降温至923~1173K，之后以第二降温速率降温至873~923K,之后以第三降温速率降温至室温；S4中，升温速率为0.5~5Kmin；所述第一降温速率为0.01~0.05Kmin，所述第二降温速率为0.01~0.05Kmin，所述第三降温速率为0.1~1.0Kmin。

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