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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于正反馈的TSV键合后检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411683167.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种基于正反馈的TSV键合后检测电路是由董刚;王理航;朱樟明设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于正反馈的TSV键合后检测电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于正反馈的TSV键合后检测电路，包括：传输门开关阵列、交叉耦合对管、复位模块、测试电容、消除寄生模块、电阻阵列、接收缓冲器。本发明利用交叉耦合对管的正反馈特性，加速比较过程并提高检测灵敏度，检测过程所需的时间得到了较大的减少，检测电路结构简单；利用电阻阵列对待测TSV的空洞电阻RTSV和泄露电阻Rleakage进行比较，实现对空洞故障和泄露故障的有效检测；通过传输门开关阵列的切换，使得交叉耦合对管能够等效为电流源，利用测试电容和接收缓冲器实现对桥接故障和开路故障的有效检测。

本发明授权一种基于正反馈的TSV键合后检测电路在权利要求书中公布了：1.一种基于正反馈的TSV键合后检测电路，其特征在于，包括： 传输门开关阵列、交叉耦合对管、复位模块、测试电容、消除寄生模块、电阻阵列、接收缓冲器；其中， 所述传输门开关阵列用于，通过控制自身内部传输门开关的切换，使TSV键合后检测电路依次处于桥接故障检测阶段、开路故障检测阶段、空洞故障检测阶段或泄露故障检测阶段，对待测TSV进行故障检测，判断所述待测TSV是否存在故障； 所述交叉耦合对管用于，在空洞故障检测阶段或泄露故障检测阶段，对应将待测TSV的空洞电阻RTSV或泄露电阻Rleakage和所述电阻阵列中的各个电阻进行比较，得到对应的空洞故障程度或泄露故障程度；其中，交叉耦合对管利用自身的正反馈特性，加速比较过程；在开路故障检测阶段或桥接故障检测阶段，作为电流源对所述测试电容充电；所述交叉耦合对管，包括： MOS管MP1和MOS管MP2；其中， 所述MOS管MP1的源极接入电源电压VDD，栅极与所述MOS管MP2的的漏极连接，漏极与所述待测TSV的预设节点连接； 所述MOS管MP2的源极与所述MOS管MP1的源极连接，栅极与所述MOS管MP1的漏极连接，漏极与所述电阻阵列的预设节点连接； 所述复位模块用于，在桥接故障检测阶段、开路故障检测阶段、空洞故障检测阶段或泄露故障检测阶段中，对待测TSV的预设节点的电压和电阻阵列的预设节点的电压进行复位； 所述测试电容的一端通过传输门开关阵列与所述待测TSV的另一预设节点连接，同时与接收缓冲器的输入端连接，第二端接地； 所述消除寄生模块用于，消除待测TSV的节点和电阻阵列的节点处寄生电容的影响； 所述接收缓冲器用于，在开路故障检测阶段或桥接故障检测阶段对所述测试电容上的电压进行监测，以实现对开路故障和桥接故障的检测。

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