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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司申请的专利晶圆的缺陷检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119540198B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411658761.6，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置是由万珣设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的缺陷检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆的缺陷检测方法及装置，属于半导体制造技术领域。晶圆的缺陷检测方法，包括：获取每片晶圆表面的缺陷数据，缺陷数据包括缺陷位置坐标、缺陷的尺寸和缺陷类型；将多片晶圆的缺陷数据进行叠加，生成多片晶圆的综合缺陷分布图；利用空间聚类算法对综合缺陷分布图进行分析，判断综合缺陷分布图是否存在COP缺陷分布模式；若综合缺陷分布图存在COP缺陷分布模式，利用缺陷识别模型根据缺陷分布密度、缺陷的尺寸和缺陷的分布规律计算多片晶圆的风险分数；将多片晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较，如果风险分数大于预设的风险阈值，将多片晶圆判定为存在COP缺陷。本发明能够识别晶圆的COP缺陷。

本发明授权晶圆的缺陷检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的缺陷检测方法，其特征在于，包括： 获取每片晶圆表面的缺陷数据，所述缺陷数据包括缺陷位置坐标、缺陷的尺寸和缺陷类型； 将多片晶圆的缺陷数据进行叠加，生成所述多片晶圆的综合缺陷分布图； 利用空间聚类算法对所述综合缺陷分布图进行分析，判断所述综合缺陷分布图是否存在COP缺陷分布模式； 若所述综合缺陷分布图存在COP缺陷分布模式，利用缺陷识别模型根据缺陷分布密度、缺陷的尺寸和缺陷的分布规律计算所述多片晶圆的风险分数； 将所述多片晶圆的风险分数与预设的风险阈值进行比较，如果所述风险分数大于预设的风险阈值，将所述多片晶圆判定为存在COP缺陷； 所述COP缺陷分布模式包括以下至少一项： COP缺陷呈现中心聚集分布； COP缺陷呈现边缘聚集分布； COP缺陷呈现同心圆带状分布； 所述利用空间聚类算法对所述综合缺陷分布图进行分析，判断所述综合缺陷分布图是否存在COP缺陷分布模式包括： 针对叠加后的综合缺陷分布图，采用空间聚类算法和形态学分析方法，识别是否存在特定的COP缺陷分布模式，如果COP缺陷在整个批次中呈现中心聚集分布、边缘聚集分布或同心圆带状分布时，提取这些空间特征并标注为潜在的COP风险模式。

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