宏茂微电子(上海)有限公司李启力获国家专利权
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龙图腾网获悉宏茂微电子(上海)有限公司申请的专利一种实现多叠层闪存封装的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411534334.7，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种实现多叠层闪存封装的方法是由李启力;邵滋人设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种实现多叠层闪存封装的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种实现多叠层闪存封装的方法。包括如下步骤：S1，在基板或PCB板上堆叠若干芯片，相邻芯片之间通过焊线键合；S2，在最上层芯片的上侧贴覆水溶性胶片，水溶性胶片包裹住最上层芯片一侧表面、最上层芯片的焊线；S3，塑封，塑封料包裹住芯片、焊线、水溶性胶片；S4，塑封完成后对形成的封装体表面进行研磨，露出水溶性胶片的表面；S5，通过水清洗，溶解掉水溶性胶片，在封装体表面形成空腔；S6，在空腔内露出的芯片表面继续堆叠若干芯片；S7，重复步骤S2至步骤S5，直至完成所有芯片的堆叠，对空腔进行塑封。同现有技术相比，实现3D闪存芯片16层以上层数堆叠，实现单颗封装体集成更多存储芯片。
本发明授权一种实现多叠层闪存封装的方法在权利要求书中公布了：1.一种实现多叠层闪存封装的方法，其特征在于：包括如下步骤： S1，在基板或PCB板1上堆叠若干芯片3，相邻芯片3之间通过焊线6键合； S2，在最上层芯片3的上侧贴覆水溶性胶片5，水溶性胶片5包裹住最上层芯片3一侧表面、最上层芯片3的焊线6； S3，塑封，塑封料4包裹住芯片3、焊线6、水溶性胶片5； S4，塑封完成后对形成的封装体表面进行研磨，露出水溶性胶片5的表面； S5，通过水清洗，溶解掉水溶性胶片5，在封装体表面形成空腔； S6，在空腔内露出的芯片3表面继续堆叠若干芯片3，相邻芯片3之间通过焊线6键合； S7，重复步骤S2至步骤S5，直至完成所有芯片3的堆叠，对空腔进行塑封，得到最终的封装体。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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