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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利RC-IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545827B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920449.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权RC-IGBT结构及半导体器件是由王猛;储金星;凌小欢设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本RC-IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种RC‑IGBT结构及半导体器件，RC‑IGBT结构包括：基体、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的集电区、第一沟槽栅、第二导电类型的基区；第一导电类型的第一发射区；第二导电类型的第二发射区；第二沟槽栅，所述第二沟槽栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中；第二导电类型的阳极区，所述阳极区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述沟槽栅在水平方向上的两侧；第一导电类型的沟道截止区，所述沟道截止区设于所述阳极区远离所述第一沟槽栅的一侧；其中，所述阳极区与所述集电区通过外部连接线导电连接。根据本申请的RC‑IGBT结构及半导体器件，可以有效消除电压回跳现象。

本发明授权RC-IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种RC-IGBT结构，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有第一主面及与第一主面相反侧的第二主面，所述第一主面和所述第二主面在竖直方向上间隔设置； 第一导电类型的漂移区，所述漂移区设于所述第一主面和所述第二主面之间； 第二导电类型的集电区，所述集电区设于所述漂移区朝向所述第一主面的一侧，所述集电区远离所述漂移区的一侧构成所述第一主面的至少部分； 第一沟槽栅，所述第一沟槽栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的基区，所述基区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述第一沟槽栅在水平方向上的两侧； 第一导电类型的第一发射区，所述第一发射区设于所述基区朝向所述第二主面的一侧，所述第一发射区远离所述基区的一侧构成部分所述第二主面； 第二导电类型的第二发射区，所述第二发射区设于所述基区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述第一发射区远离所述第一沟槽栅的一侧，所述第二发射区远离所述基区的一侧构成部分所述第二主面； 第二沟槽栅，所述第二沟槽栅自所述第二主面向所述第一主面延伸至所述漂移区中； 第二导电类型的阳极区，所述阳极区设于所述漂移区朝向所述第二主面的一侧，且位于所述第二沟槽栅在水平方向上的两侧，所述阳极区远离所述第一主面的一侧构成部分所述第二主面； 第一导电类型的沟道截止区，所述沟道截止区设于所述阳极区远离所述第一沟槽栅的一侧，所述沟道截止区远离所述第一主面的一侧构成部分所述第二主面； 其中，所述阳极区与所述集电区通过外部连接线导电连接。

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