桂林理工大学韩发明获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119546149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790725.5，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜及其制备方法是由韩发明设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜及其制备方法，制备方法包括：S1，在PbI2前驱体溶液中加入适量BMIMX，制成EMIMX‑PbI2前驱体溶液；所述BMIMX为BMIMCl、BMIMBr或BMIMI中的一种或者多种；S2，在EMIMX‑PbI2前驱体溶液中引入晶核，制得PbI2层；S3，在PbI2层上沉积FAIMAI溶液并加热退火得到钙钛矿光伏薄膜。本发明有效提升钙钛矿光伏薄膜的结晶性，钙钛矿薄膜埋底缺陷明显减少，并在钙钛矿结晶过程中，在表面形成了1DPVK，显著提高太阳能电池的稳定性、短路电流、开路电压、填充因子以及光电转换效率。本发明简单实用，成本低，易推广，对改善钙钛矿光伏薄膜的光伏性能有重大借鉴意义。
本发明授权基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于自迁移1D种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法，其特征在于，包括： S1，在PbI2前驱体溶液中加入适量离子液体，制成EMIMX-PbI2前驱体溶液；所述离子液体为BMIMCl、BMIMBr或BMIMI中的一种或者多种； S2，在EMIMX-PbI2前驱体溶液中引入晶核，制得PbI2层；其中，具体包括：S21，在基底上旋涂含有BMIMPbI3种子溶液的EMIMX-PbI2前驱体溶液，加热退火得到PbI2层； S3，在PbI2层上沉积FAIMAI溶液并加热退火得到钙钛矿光伏薄膜；所述FAIMAI溶液为碘甲脒FAI与碘甲胺MAI的混合溶液。
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