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龙图腾网获悉南京江智科技有限公司申请的专利一种具有嵌入式结势垒肖特基二极管的SiC沟槽式器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562562B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411445622.5，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有嵌入式结势垒肖特基二极管的SiC沟槽式器件是由原小明设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有嵌入式结势垒肖特基二极管的SiC沟槽式器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有嵌入式结势垒肖特基二极管的SiC沟槽式MOSFET，其具有围绕在源‑体‑肖特基接触沟槽底部的P屏蔽区，以降低栅氧化层电场强度和开关损耗。源金属直接与P屏蔽区和结势垒肖特基二极管区相连。侧壁P区沿着源‑体‑肖特基接触沟槽侧壁的部分区域形成，以改善SiC沟槽式MOSFET的漏‑源漏电流和结势垒肖特基二极管的正向电压之间的权衡。此器件还进一步包括一个形成于每个栅沟槽下方的N屏蔽区，以降低栅氧化层电场强度和比导通电阻。

本发明授权一种具有嵌入式结势垒肖特基二极管的SiC沟槽式器件在权利要求书中公布了：1.一种包含多个单元的碳化硅功率器件，其中每个单元均位于有源区内，进一步包括： 一个具有第一导电类型的外延层，其位于衬底之上； 一个形成于所述有源区的栅沟槽，其被具有所述第一导电类型的源区所包围，所述源区位于具有第二导电类型的体区中、并位于所述外延层的上部； 一个源-体-肖特基接触沟槽，穿过所述源区和所述体区，延伸至所述外延层中； 一个具有所述第二导电类型的P屏蔽区，用于降低栅氧化层的电场强度，其围绕所述源-体-肖特基接触沟槽的底部周围、并与所述栅沟槽分隔开； 一个具有所述第二导电类型的体接触区，位于所述体区中； 一个体组合区，包括所述体区和所述体接触区； 一个具有所述第二导电类型的侧壁P区，沿所述源-体-肖特基接触沟槽侧壁的部分区域选择性地形成，并连接所述P屏蔽区至所述体接触区，所述P屏蔽区的掺杂浓度高于所述侧壁P区； 源金属填充至所述源-体-肖特基接触沟槽内，与所述源区、所述体接触区和所述P屏蔽区接触；并通过与所述外延层建立肖特基接触，形成一个位于所述体接触区和所述P屏蔽区之间的肖特基势垒二极管区； 一个结势垒肖特基二极管区，形成于所述源区和所述P屏蔽区的底部之间，其包括一个第一PN结二极管，一个第二PN结二极管以及一个所述肖特基势垒二极管，其中，所述第一PN结二极管形成于体组合区和所述外延层之间，所述第二PN结二极管形成于所述P屏蔽区和所述外延层之间。

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