中国科学院大连化学物理研究所陈平获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411680733.4，技术领域涉及：H01J49/16；该发明授权一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置是由陈平;刘鹏;吴称心;花磊;李海洋设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置在说明书摘要公布了：本发明涉及分子束质谱分析仪器，特别涉及一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置。包括真空紫外光源、电离源腔体、环电极、光电阴极及差分电极，其中真空紫外光源设置于电离源腔体的侧壁上，环电极和光电阴极沿真空紫外光源的光路方向依次设置于电离源腔体内，沿垂直于真空紫外光源的光路方向在电离源腔体的两侧壁上分别设有同轴线的进样锥口和差分电极，真空紫外光源的发射光照射光电阴极产生光电子，光电子在环电极内与由进样锥口进入的气体样品发生碰撞，获得气体样品离子，气体样品离子通过差分电极输出。本发明利用VUV光束从侧面垂直交叉照射分子束，达到阈值电离的效果；同时实现单光子电离的效果。
本发明授权一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置在权利要求书中公布了：1.一种用于分子束质谱的真空紫外光光电子电离源装置，其特征在于，包括真空紫外光源11、电离源腔体14、环电极3、光电阴极5及差分电极8，其中真空紫外光源11设置于电离源腔体14的侧壁上，环电极3和光电阴极5沿真空紫外光源11的光路方向依次设置于电离源腔体14内，沿垂直于真空紫外光源11的光路方向在电离源腔体14的两侧壁上分别设有同轴线的进样锥口2和差分电极8，真空紫外光源11的发射光照射光电阴极5产生光电子，光电子在环电极3内与由进样锥口2进入的气体样品发生碰撞，获得气体样品离子，气体样品离子通过差分电极8输出； 所述电离源腔体14内靠近所述真空紫外光源11设有磁铁Ⅰ12，所述光电阴极5远离所述真空紫外光源11的一侧间隔设置磁铁Ⅱ4，磁铁Ⅰ12和磁铁Ⅱ4产生的磁场提高光电子的利用率。
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