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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种3DIC光电集成式半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411745343.0，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种3DIC光电集成式半导体封装结构及其制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种3DIC光电集成式半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种3DIC光电集成式半导体封装结构的制备方法，通过TSV基底、重新布线层、第一电芯片、第二电芯片、介质层及导电柱，将光芯片模块、3D堆叠芯片及水平存储芯片进行集合封装，其中，光芯片模块与3D堆叠芯片通过第一电芯片连接，3D堆叠芯片与水平存储芯片通过第二电芯片连接，以此实现光集成电路与电集成电路的短距离连接，从而大大减少光电信号的传输距离，缩小封装面积，降低功耗，满足光电芯片的高密度集成封装。

本发明授权一种3DIC光电集成式半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3DIC光电集成式半导体封装结构的制备方法，其特征在于： 提供TSV基底，于所述TSV基底的第一面上形成第一重新布线层，所述TSV基底中设有TSV金属柱，所述TSV基底的第一面显露所述TSV金属柱的顶端，所述第一重新布线层与所述TSV金属柱电连接； 提供第一电芯片及第二电芯片，将所述第一电芯片及所述第二电芯片键合于所述第一重新布线层上以使所述第一电芯片及所述第二电芯片分别与所述第一重新布线层电连接； 于所述第一重新布线层上形成包覆所述第一电芯片及所述第二电芯片的介质层； 形成导电柱于所述介质层中，所述导电柱贯穿所述介质层以与所述第一重新布线层电连接，减薄所述介质层，以显露所述导电柱、所述第一电芯片及所述第二电芯片； 于所述介质层上形成第二重新布线层，所述第二重新布线层与所述导电柱的顶端电连接； 提供第一支撑衬底，并将所述第二重新布线层与所述第一支撑衬底键合； 减薄所述TSV基底，以显露所述TSV金属柱的底端，于所述TSV基底的第二面上形成第三重新布线层，所述第三重新布线层与所述TSV金属柱电连接； 于所述第三重新布线层上形成金属凸块，所述金属凸块与所述第三重新布线层电连接； 提供第二支撑衬底，将所述金属凸块与所述第二支撑衬底键合，去除所述第一支撑衬底； 提供光芯片模块、3D堆叠芯片及水平存储芯片，将所述光芯片模块、所述3D堆叠芯片及所述水平存储芯片键合于所述第二重新布线层上，所述光芯片模块、所述3D堆叠芯片及所述第一电芯片通过所述第二重新布线层电连接以组成光集成电路，所述3D堆叠芯片、所述水平存储芯片及所述第二电芯片通过所述第二重新布线层连接以组成电集成电路。

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