盛合晶微半导体(江阴)有限公司陈彦亨获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利光电系统封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411745644.3，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权光电系统封装结构及其制备方法是由陈彦亨;林正忠设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电系统封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电系统封装结构及其制备方法，通过3D堆叠逻辑存储模块、存储模块、光模块、重新布线层、金属柱、ASIC芯片及TSV复合转接板的设置，可形成一个完整的光电系统封装结构，且可使各模块的传输距离更短，讯号传输更快，有效减少传输功耗，缩小封装面积。
本发明授权光电系统封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电系统封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供支撑衬底； 于所述支撑衬底上形成金属柱； 提供ASIC芯片及TSV复合转接板，将所述ASIC芯片及所述TSV复合转接板键合于所述支撑衬底上，且所述ASIC芯片的表面具有与所述ASIC芯片电连接的第一连接件，所述TSV复合转接板的表面具有与所述TSV复合转接板电连接的第二连接件； 于所述支撑衬底上形成封装层，所述封装层包覆所述ASIC芯片、所述TSV复合转接板及所述金属柱，且显露所述金属柱、所述第一连接件及所述第二连接件； 于所述封装层上形成第一重新布线层，且所述第一重新布线层与所述金属柱、所述第一连接件及所述第二连接件均电连接； 提供3D堆叠逻辑存储模块、存储模块及光模块，并将所述3D堆叠逻辑存储模块、所述存储模块及所述光模块键合于所述第一重新布线层上，所述3D堆叠逻辑存储模块、所述存储模块及所述光模块均与所述第一重新布线层电连接，且所述3D堆叠逻辑存储模块、所述ASIC芯片及所述光模块电连接，所述3D堆叠逻辑存储模块、所述TSV复合转接板及所述存储模块电连接； 去除所述支撑衬底，显露所述封装层； 于所述封装层的表面形成第二重新布线层，且所述第二重新布线层与所述金属柱电连接； 于所述第二重新布线层上形成金属凸块，且所述金属凸块与所述第二重新布线层电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人盛合晶微半导体(江阴)有限公司，其通讯地址为：214437 江苏省无锡市江阴市东盛西路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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