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龙图腾网获悉深圳市华鑫伟宏光电有限公司申请的专利一种检测LED封装缺陷的筛选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119601493B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411860230.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种检测LED封装缺陷的筛选方法是由王国柱设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种检测LED封装缺陷的筛选方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED封装缺陷检测技术领域，尤其涉及一种检测LED封装缺陷的筛选方法，该方法包括通过通电并确定LED封装的面板位置，并布设有光强传感面板，获取设定电压下所述光强传感面板各位置在时序过程中的分别对应的光强数据，进而确定LED封装的光强缺陷位置，并通过调整光强传感面板与LED封装的面板的角度，确定LED封装的光强坏点区域，并再次调整角度及降低LED封装的通电电压，以基于各调整后光强数据与平均光强数据的最大差距确定LED封装的光强坏点面积，进而对LED封装进行筛选，本发明实现了对LED封装的缺陷的精准定位及对LED封装的有选择性的精确筛选。

本发明授权一种检测LED封装缺陷的筛选方法在权利要求书中公布了：1.一种检测LED封装缺陷的筛选方法，其特征在于，包括： 步骤S1，对LED封装进行通电，并确定LED封装的面板位置； 步骤S2，在与所述LED封装的面板成正投影的位置布设光强传感面板，其中，所述光强传感面板设置有角度调整机构，以调整光强传感面板与LED封装的面板所成角度，所述光强传感面板上设置有若干光强传感器，以获取LED封装通电后的光强数据； 步骤S3，所述LED封装通电后，获取设定电压下所述光强传感面板各位置在时序过程中的分别对应的光强数据，并根据各光强数据确定所述LED封装的光强缺陷位置； 步骤S4，基于所述光强缺陷位置对应的范围和光强数据，调整所述光强传感面板与所述LED封装的面板的角度； 步骤S5，基于角度调整后各光强缺陷位置对应的光强数据确定所述LED封装的光强坏点区域； 步骤S6，根据所述光强坏点区域的分布再次调整所述光强传感面板与所述LED封装的面板的角度，并降低所述LED封装的通电电压，基于再次角度调整后的各光强坏点区域对应的光强数据与平均光强数据的最大差距确定所述LED封装的光强坏点面积； 步骤S7，基于调整后所述光强传感面板与所述LED封装的面板的角度值、所述LED封装的面板的通电时长、所述最大差距和所述光强坏点面积对所述LED封装进行筛选。

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