西北工业大学瞿俊伶获国家专利权
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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620441B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093013.6，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法是由瞿俊伶;甘雪涛;刘亚平;刘鹏;朱哲凯;张宸;刘吕汉设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成光电子技术领域，公开了一种基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法，包括：波导包层；硅波导层，设置在波导包层上方；硅波导层的两端加工用于光信号的输入与输出的光耦合器；下电极层，与硅波导层连通；胶体纳米晶层，采用氧化物半导体胶体纳米晶制备，设置在硅波导层上方，并与硅波导层构成PN结；上电极层，设置在胶体纳米晶层上方。有效解决目前硅基电光调制器面临的调制效率低、加工繁琐、异质集成困难的问题，具有溶液制备加工衬底兼容性、可大规模集成、高调制效率、高调制深度及小尺寸等特点，有望推动硅基光电子芯片向高度集成方向发展。
本发明授权基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器，其特征在于，包括： 波导包层5； 硅波导层3，设置在波导包层5上方；硅波导层3的两端加工用于光信号的输入与输出的光耦合器6； 下电极层4，与硅波导层3连通； 胶体纳米晶层2，采用氧化物半导体胶体纳米晶制备，设置在硅波导层3上方，并与硅波导层3构成PN结； 上电极层1，设置在胶体纳米晶层2上方； 所述氧化物半导体胶体纳米晶为：氧化铟胶体纳米晶、氧化铟锡胶体纳米晶、氧化锌胶体纳米晶、掺铝氧化锌胶体纳米晶或氧化镉胶体纳米晶； 所述下电极层4材料的功函数高于上电极层1材料的功函数； 所述硅波导层3为p型掺杂的硅波导；所述氧化物半导体胶体纳米晶为n型掺杂的氧化物半导体胶体纳米晶。
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