浙江创芯集成电路有限公司王泽楠获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利晶圆电性测试方法、存储介质及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411784753.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶圆电性测试方法、存储介质及终端是由王泽楠;汪海设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆电性测试方法、存储介质及终端在说明书摘要公布了：一种晶圆电性测试方法、存储介质及终端，其中晶圆电性测试方法包括：获取标准扎针图像；获取当前测试结构的待检测扎针图像；基于标准扎针图像判断待检测扎针图像是否符合预期；若符合预期，则完成当前测试结构的电性测试，进行下一个测试结构的电性测试；若不符合预期，对当前测试结构的探针卡扎针深度进行一次或多次的增加处理；在每次增加探针卡扎针深度后还包括：重新获取当前测试结构的待检测扎针图像，并判断重新获取的待检测扎针图像是否符合预期。在对当前测试结构进行电性测试的过程中，即可检测当前测试结构的扎针是否符合预期，省去了测试完成后因扎针问题导致测试数据异常从而重新测试的时间，有效提升晶圆电性测试的效率。
本发明授权晶圆电性测试方法、存储介质及终端在权利要求书中公布了：1.一种晶圆电性测试方法，其特征在于，包括： 获取标准扎针图像； 获取当前测试结构的待检测扎针图像； 基于所述标准扎针图像判断所述待检测扎针图像是否符合预期； 若符合预期，则完成所述当前测试结构的电性测试，进行下一个测试结构的电性测试； 若不符合预期，对所述当前测试结构的探针卡扎针深度进行一次或多次的增加处理； 其中，在每次增加所述当前测试结构的探针卡扎针深度之后还包括： 重新获取所述当前测试结构的所述待检测扎针图像，并基于所述标准扎针图像判断重新获取的所述待检测扎针图像是否符合预期。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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