中国人民解放军国防科技大学吴微微获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种单通带FSR的单元结构、单通带FSR及天线罩获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105732.5，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种单通带FSR的单元结构、单通带FSR及天线罩是由吴微微;史桐桐;袁乃昌;黄敬健;施庆展;陈曦;崔开博;张晓发;王超;王青平;朱畅设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单通带FSR的单元结构、单通带FSR及天线罩在说明书摘要公布了：本申请属于微波技术领域，具体涉及一种单通带FSR的单元结构、单通带FSR及天线罩，包括阻抗层和FSS层，阻抗层包括介质基板一、分别设置于介质基板一的两面的两个双螺旋谐振结构、分别连接于两个双螺旋谐振结构的四端的四个连接导线、设置于介质基板一上并分别与四个连接导线连接的四个电阻、设置于介质基板一上并分别与四个电阻的T形金属片；FSS层，具有单方环缝隙以构造单传输带。本申请提供的单元结构，阻抗层双层结构垂直叠加的方式用于增强极化稳定性能，使得单元结构较大幅度降低了插入损耗，具有稳定的双极化特性和一定的角度稳定性。
本发明授权一种单通带FSR的单元结构、单通带FSR及天线罩在权利要求书中公布了：1.一种单通带FSR的单元结构，其特征在于，包括： 阻抗层10，包括介质基板一11、分别设置于介质基板一11的两面的两个双螺旋谐振结构12、分别连接于两个双螺旋谐振结构12的四端的四个连接导线13、设置于介质基板一11上并分别与四个连接导线13连接的四个电阻14、设置于介质基板一11上并分别与四个电阻14的T形导电片15； FSS层20，具有单方环缝隙24以构造单传输带； 所述阻抗层10与FSS层20具有间隔； 两个所述双螺旋谐振结构12均设置在介质基板一11的中间处，所述双螺旋谐振结构12包括相互围绕的两个螺旋导电片121，且两个螺旋导电片121之间具有螺旋间隙，两个螺旋导电片121的外端部分别与两个连接导线13连接，且两个所述连接导线13在同一直线方向上。
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