中国人民解放军国防科技大学吴微微获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种双通带FSR的单元结构、双通带FSR及天线罩获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627385B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510105921.2，技术领域涉及：H01P1/20；该发明授权一种双通带FSR的单元结构、双通带FSR及天线罩是由吴微微;史桐桐;袁乃昌;施庆展;黄敬健;陈曦;崔开博;张晓发;王超;王青平;朱畅设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双通带FSR的单元结构、双通带FSR及天线罩在说明书摘要公布了：本申请属于微波技术领域，具体涉及一种双通带FSR的单元结构、双通带FSR及天线罩，单元结构，包括阻抗层和FSS层；阻抗层包括介质基板一、双螺旋谐振结构、交指电容结构、连接导线，介质基板一的两面上均设置双螺旋谐振结构和交指电容结构，位于同一面的双螺旋谐振结构和交指电容结构之间通过连接导线连接，连接导线上设置有电阻，介质基板一的两面的两个连接导线为交叉位置关系；FSS层具有双方环缝隙以构造两个传输带。可使雷达天线在两个工作频带不受影响，在带外吸波实现雷达低可探测，具有双极化，剖面低至0.085，且斜入射稳定性能达到45°，从而同时实现低剖面、双极化和大角度性能稳定的需求。
本发明授权一种双通带FSR的单元结构、双通带FSR及天线罩在权利要求书中公布了：1.一种双通带FSR的单元结构，其特征在于，包括： 阻抗层10，包括介质基板一11、双螺旋谐振结构12、交指电容结构13、连接导线14，所述介质基板一11的两面上均设置双螺旋谐振结构12和交指电容结构13，位于同一面的双螺旋谐振结构12和交指电容结构13之间通过连接导线14连接，所述双螺旋谐振结构12和交指电容结构13需要连接在同一极化方向，所述连接导线14上设置有电阻15，所述介质基板一11两面的连接导线14为交叉位置关系； FSS层20，具有双方环缝隙以构造两个传输带； 所述阻抗层10与FSS层20具有间隔； 所述交指电容结构13包括相互啮合的多齿结构一131和多齿结构二132，所述多齿结构一131与多齿结构二132相连，多齿结构一131和多齿结构二132除了在一个点位处相连，其余部分是具有间隙的。
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