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电子科技大学周佩珩获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119627446B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411897474.0,技术领域涉及:H01Q13/20;该发明授权一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线是由周佩珩;李树伟;陈言川;彭春泉;陈海燕;韩天成;梁迪飞设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线在说明书摘要公布了:本发明属于天线领域,具体为一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线。本发明采用单根旋磁YIG柱构建正方形的原胞,并辅以上下磁铁层提供磁场,将原胞适应性紧密排布成阵列天线,并满足在额定区域各方向的边界为完美电导体边界,在激励源设置的边界上开设漏波区域的缝隙阵列。本发明的拓扑漏波天线可通过磁场、天线结构、频率等参数调整,从而进行天线的漏波扫描调控,具有多自由度调节特性;其具有结构简单,横向出射效果好,克服开阻带现象,克服阻抗匹配,无反射信号,波导内的波只能单向传输等优点。有效解决了现有漏波天线需要进行阻抗匹配和具有开阻带的问题。

本发明授权一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线在权利要求书中公布了:1.一种基于旋磁光子晶体的拓扑漏波天线,其特征在于:为三层的叠层结构,从上至下依次包括上磁铁层、功能层和下磁铁层; 上、下磁铁层均为嵌入磁铁柱的金属板,并一一对应的以一根磁铁柱在厚度方向中心重合对准一个原胞旋磁YIG柱中心的方式设置在功能层上、下的两层磁铁层,一根旋磁YIG柱对应上、下共两根磁铁柱;同一磁铁层嵌入的磁铁柱的磁极方向相同,磁铁柱固定在金属板中且均不与旋磁YIG柱接触,从而通过上、下磁铁层提供磁场,磁场大小为B>0T;金属板是功能层上、下面的完美电导体层,用来形成波导腔; 所述功能层由原胞周期排布构成;原胞的平面形状为正方形,其内部居中设有一个旋磁YIG柱,原胞的层间结构是在旋磁YIG柱上、下底面适应性居中对准的设置一层正方形的金属层,形成上、下两金属层将一个旋磁YIG柱夹持的带空隙结构; 原胞为正方形晶格,其晶格常数a0>0,天线工作频率随着a0变换而变换;以原胞正方形的一条对边中线为纵向Y轴,另一条对边中线为横向X轴;将原胞在X轴、Y轴两个方向以原胞的正方形边为基准依次适应性拼接排布在额定区域,并满足在额定区域两Y轴方向的边界为完美电导体边界,额定区域两X轴方向的边界也为完美电导体;其中,在激励源设置的边界上开设漏波区域的缝隙阵列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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