中国科学技术大学李桑丫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种大面积镀膜强流离子束产生装置及其优化方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119629830B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311186198.2,技术领域涉及:H05H1/24;该发明授权一种大面积镀膜强流离子束产生装置及其优化方法是由李桑丫;罗箐;张艾霖设计研发完成,并于2023-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大面积镀膜强流离子束产生装置及其优化方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种大面积镀膜强流离子束产生装置及其优化方法,所述产生装置包括强流离子源和三电极引出系统,其中三电极引出系统包括中空管状的等离子体电极、抑制电极和引出电极,三者的中空管状部分共同形成所述离子束流的出射通道,以及三者中每相邻的两个形成侧向通道,所述侧向通道从所述强流离子源向外的延伸方向与所述束流出射轴线形成为锐角的夹角。本发明提供的优化方法在模拟中迭代优化等离子体电极、抑制电极和引出电极的所述预定间隔、所述夹角或电压等相关参量以提高所述束流均匀度和或对所述束流扩幅,并保证足够的束流强度。本发明提供的离子束产生装置成本低、束流流强高且离子束均匀度高。
本发明授权一种大面积镀膜强流离子束产生装置及其优化方法在权利要求书中公布了:1.一种用于优化大面积镀膜强流离子束产生装置的方法,其调用ibsimu软件作为底层模拟引擎模拟强流离子束产生装置来优化三电极引出系统的结构特征,所述强流离子束产生装置包括强流离子源和三电极引出系统,其中 所述强流离子源用于产生离子束流,其束流流强能够满足大面积离子束镀膜所需最小流强; 所述三电极引出系统包括中空管状的等离子体电极、抑制电极和引出电极,三者沿着离子束流的出射轴线依次布置并具有预定间隔,以及三者的中空管状部分共同形成所述离子束流的出射通道; 其中,在靠近强流离子源的一侧,所述等离子体电极、抑制电极和引出电极中每相邻的两个还各自通过被构造为向所述出射轴线倾斜收拢的管口部而形成侧向通道,所述侧向通道从所述强流离子源向外的延伸方向与所述束流出射轴线形成为锐角的夹角;以及 其中所述等离子体电极、抑制电极和引出电极的所述预定间隔、所述夹角或电压被配置为使得所述束流中的一部分能够从束流出射通道偏航到所述侧向通道中的至少一个以提高所述束流均匀度和或对所述束流扩幅; 所述方法包括: 设定所述等离子体电极、抑制电极和引出电极的所述预定间隔、所述夹角或电压的初始值; 根据高电荷态的离子和低电荷态的离子的比例改变所述等离子体电极、抑制电极和引出电极的其中至少一个的所述预定间隔或所述夹角中的至少一个的数值; 执行强流离子束产生装置的离子束流出射过程,记录出射离子束流的能量、速度或散射角的模拟结果; 通过所述模拟结果加权评估引出束流质量; 重复上述步骤,通过迭代更新所述预定间隔、所述夹角或电压以获得优化的引出束流质量,直至所述引出束流质量收敛或者满足预定迭代次数。
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