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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种玻璃转接板及其玻璃通孔的填充方法和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119640351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411753739.X，技术领域涉及：C25D3/38；该发明授权一种玻璃转接板及其玻璃通孔的填充方法和芯片是由陈云;梁传嶍;张俊杰;侯茂祥;刘辉龙;马莉;陈新设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种玻璃转接板及其玻璃通孔的填充方法和芯片在说明书摘要公布了：一种玻璃转接板及其玻璃通孔的填充方法和芯片；填充方法，包括如下步骤：对已加工出玻璃通孔的玻璃基板进行超声清洗；采用化学镀铜的方法制作种子层；对玻璃基板进行抽真空处理；将玻璃基板放在电镀液中进行浸润预处理；采用双阳极的电镀系统；玻璃基板置于两个阳极之间并作为阴极，阴极和阳极之间保持平行；电镀系统采用双向非对称性脉冲电流，通过正向脉冲电流补充玻璃通孔中部的铜离子，通过反向脉冲电流将玻璃通孔内部在沉积过程中产生的凸起结构溶解；在正向、反向脉冲电流都处于关闭状态时，补充玻璃通孔内部的铜离子。本方案具有效率高、工艺可调控范围广、电镀质量高和操作简单等优点，解决了TGV电镀时出现缝隙、孔洞等缺陷的问题。

本发明授权一种玻璃转接板及其玻璃通孔的填充方法和芯片在权利要求书中公布了：1.一种玻璃转接板玻璃通孔的填充方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：对已加工出玻璃通孔的玻璃基板进行超声清洗； S2：采用化学镀铜的方法制作种子层； S3：对玻璃基板进行抽真空处理； S4：将玻璃基板放在电镀液中进行浸润预处理； S5：采用双阳极的电镀系统；玻璃基板置于两个阳极之间并作为阴极，阴极和阳极之间保持平行；电镀系统采用双向非对称性脉冲电流，通过正向脉冲电流补充玻璃通孔中部的铜离子，通过反向脉冲电流将玻璃通孔内部在沉积过程中产生的凸起结构溶解；在正向脉冲电流和反向脉冲电流都处于关闭状态时，补充玻璃通孔内部的铜离子； 所述步骤S5中，根据玻璃通孔的填充率Ft和填充速率ft进行分阶段电镀填充，不同电镀填充阶段中的脉冲电流幅值和占空比不同；填充速率ft是填充率Ft的一阶导数，不同电镀填充阶段其填充率Ft关于时间t的函数为： 第一阶段：；正向电流幅值为Ion1，反向电流幅值为Irev1；t1为第一阶段沉积的时间，为玻璃通孔在电镀过程中，中心区域形成封闭所需的时间，基于孔径、深径比、填充速率来确定； 占空比为ton1：trev1：toff1；ton1为第一阶段的正向电流持续时间，trev1为反向电流持续时间，ton1为关停时间；和是第1阶段中与电流有关的系数； 第二阶段：；正向电流幅值为Ion2，反向电流幅值分别为Irev2； 占空比为ton2：trev2：toff2；ton2为第二阶段的正向电流持续时间，trev2为反向电流持续时间，toff2为关停时间；和是第2阶段中与电流有关的系数；t2指的是第二阶段沉积时间，基于填充率和填充速率确定； 第n阶段： ；正向电流幅值为Ionn，反向电流幅值为Irevn； 占空比为tonn：trevn：toffn；tonn为第n阶段的正向电流持续时间，trevn为反向电流持续时间，tonn为关停时间；和是第n阶段中与电流有关的系数；tn指的是第n阶段沉积时间,tn-1指的是第n-1阶段沉积时间； 对第一阶段的填充率Ft、电镀时间t进行多项式曲线拟合，得到Ft关于t的二次多项式函数，确定a1、b1系数；再对第二阶段的填充率Ft、电镀时间t进行多项式曲线拟合，得到Ft关于t的二次多项式函数，确定a2、b2系数；第n阶段的填充率Ft、电镀时间t进行多项式曲线拟合，得到Ft关于t的二次多项式函数，确定an、bn系数。

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