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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695578.3，技术领域涉及：G01R33/42；该发明授权一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法是由王耀辉;王秋良;王晖;陈顺中;程军胜设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法，所述方法包含六个执行步骤：步骤1，输入超导磁体线圈结构；步骤2，确定抗电磁干扰线圈位置；步骤3，计算抗电磁干扰线圈匝数；步骤4，整合超导磁体线圈和抗电磁干扰线圈结构信息并计算磁场传递向量、电感矩阵、线圈面积向量；步骤5，构建以屏蔽因子为目标函数的数学优化模型并求解抗电磁干扰线圈的轴向位置；步骤6，抗电磁干扰线圈匝数整数优化并计算屏蔽因子。所述方法可应用于任意磁共振成像超导磁体的抗电磁干扰线圈设计当中，具有很好的设计灵活性和工程适用性。

本发明授权一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法在权利要求书中公布了：1.一种磁共振成像抗电磁干扰线圈设计方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 步骤1：输入超导磁体线圈结构，包括所有线圈轴向左端位置、轴向右端位置、内半径、外半径、轴向匝数、径向层数、电流方向； 步骤2：确定一个或者多个超导磁体线圈用于支撑抗电磁干扰线圈，并设定每个抗电磁干扰线圈在超导磁体线圈上的轴向位置，其中，每个超导磁体线圈用于支撑一个抗电磁干扰线圈； 步骤3：选定绕制抗电磁干扰线圈的超导线规格，并设定绕制层数，以抗电磁干扰线圈的轴向位置为待求解量，计算得到轴向匝数； 步骤4：整合超导磁体线圈和抗电磁干扰线圈的结构信息，计算得到磁场传递向量、电感矩阵、线圈面积向量； 步骤5：设定抗电磁干扰线圈在超导磁体线圈上的轴向位置的初始值，计算抗电磁干扰线圈的屏蔽因子，以屏蔽因子为目标函数，约束条件为抗电磁干扰线圈的轴向位置的范围不超过所在超导磁体线圈轴向位置的范围，执行抗电磁干扰线圈的轴向位置优化求解； 步骤6：依据步骤3，根据已优化求解得到的抗电磁干扰线圈的轴向位置的数值解，计算得到抗电磁干扰线圈的最优轴向匝数，通过四舍五入得到轴向匝数的整数解，再依据步骤5，计算得到抗电磁干扰线圈的实际屏蔽因子。

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