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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利基于SRAM的存内乘累加计算装置以及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119645345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411748176.5，技术领域涉及：G06F7/544；该发明授权基于SRAM的存内乘累加计算装置以及方法是由游恒;詹子骁;尚德龙;周玉梅设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于SRAM的存内乘累加计算装置以及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于SRAM的存内乘累加计算装置以及方法，所述装置包括：第一SRAM位单元、第二SRAM位单元、第一传输门电路、第二传输门电路，其中：第一传输门电路包括第一NMOS管、第一PMOS管和第一输入端口；第二传输门电路包括第二NMOS管、第二PMOS管和第二输入端口；BLL位线与第一、第二传输门电路之间有第三MOS管和第四MOS管；BLR位线与第一、第二传输门电路之间有第五MOS管和第六MOS管；BLR位线与进位输出端口之间有非门，或非门输入端分别与非门输出端和BLL位线连接。采用上述技术方案，可以直接输出两组输入与权重的乘累加结果，无需乘法单元和加法树中的第一级半加器电路，节省了晶体管的使用，有助于减少加法树的面积与功耗开销，提高整体CIM宏的能效。

本发明授权基于SRAM的存内乘累加计算装置以及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SRAM的存内乘累加计算装置，其特征在于，包括：BLL位线、BLR位线、第一SRAM位单元、第二SRAM位单元、第一传输门电路、第二传输门电路、进位输出端口和求和输出端口，其中： 所述第一传输门电路，包括第一NMOS管、第一PMOS管和第一输入端口，第一NMOS管的源极连接第一PMOS管的源极，两源极的连接点作为第一输入端口，第一NMOS管的漏极连接第一PMOS管的漏极，第一NMOS管的栅极连接第一SRAM位单元的Q节点，第一PMOS管的栅极连接第一SRAM位单元的QB节点； 所述第二传输门电路，包括第二NMOS管、第二PMOS管和第二输入端口，第二NMOS管的源极连接第二PMOS管的源极，两源极的连接点作为第二输入端口，第二NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极，第二NMOS管的栅极连接第二SRAM位单元的Q节点，第二PMOS管的栅极连接第二SRAM位单元的QB节点； 所述BLL位线与第一传输门电路之间设置有第三MOS管，第三MOS管的栅极与第一NMOS管的漏极连接，第三MOS管的另两极分别与BLL位线和地连接；所述BLL位线与第二传输门电路之间设置有第四MOS管，第四MOS管的栅极与第二NMOS管的漏极连接，第四MOS管的另两极分别与BLL位线和地连接； 所述BLR位线与第一传输门电路之间设置有第五MOS管，所述BLR位线与第二传输门电路之间设置有第六MOS管；第五MOS管的栅极与第一PMOS管的漏极连接，第五MOS管的另两极分别与BLR位线和第六MOS管连接；第六MOS管的栅极与第二PMOS管的漏极连接，第六MOS管的另两极分别与第五MOS管和地连接； 所述BLR位线与进位输出端口之间设置有非门，非门输出端与进位输出端口连接；所述非门的输出端与求和输出端口之间设置有或非门，或非门输入端分别与非门输出端和BLL位线连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中科南京智能技术研究院，其通讯地址为：211135 江苏省南京市江宁区创研路266号麒麟人工智能产业园8栋8层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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