中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利拓扑自旋材料基磁阻存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411730123.0，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权拓扑自旋材料基磁阻存储器件是由邢国忠;刘龙;张一帆;赵之昊设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本拓扑自旋材料基磁阻存储器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种拓扑自旋材料基磁阻存储器件，包括：自旋轨道耦合层，材料为拓扑绝缘体，用于产生自旋流；氧化镍层，形成于所述自旋轨道耦合层上；界面层，形成于所述氧化镍层上；以及磁性隧道结，形成于所述界面层上，包括形成于势垒层上下两侧的铁磁层；所述自旋流以磁振子的形式在氧化镍层中传输后作用于铁磁层，所述界面层用于增强铁磁层的各向异性。
本发明授权拓扑自旋材料基磁阻存储器件在权利要求书中公布了：1.一种拓扑自旋材料基磁阻存储器件，包括： 自旋轨道耦合层，材料为拓扑绝缘体，用于产生自旋流； 氧化镍层，形成于所述自旋轨道耦合层上； 界面层，形成于所述氧化镍层上；以及 磁性隧道结，形成于所述界面层上，包括形成于势垒层上下两侧的铁磁层； 所述自旋流以磁振子的形式在氧化镍层中传输后作用于铁磁层，所述界面层用于增强铁磁层的各向异性； 所述铁磁层包括位于势垒层上侧的铁磁参考层和位于势垒层下侧的铁磁自由层；所述磁性隧道结由下至上包括铁磁自由层、势垒层、铁磁参考层、合成反铁磁层、盖帽层；磁阻存储器件还包括TMR增强层，采用反铁磁材料IrMn，TMR增强层包括形成于铁磁自由层下侧的第一TMR增强层，以及形成于铁磁参考层上侧的第二TMR增强层，用于进一步提高隧穿磁电阻率。
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