西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司梁鹏欢获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司申请的专利改善外延晶圆品质的方法、装置， 及外延晶圆和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411626173.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权改善外延晶圆品质的方法、装置， 及外延晶圆和其制造方法是由梁鹏欢设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善外延晶圆品质的方法、装置， 及外延晶圆和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种改善外延晶圆品质的方法、装置，及外延晶圆和其制造方法。该改善外延晶圆品质的方法包括：将外延晶圆的表面缺陷的位置与外延工艺设备中的接触部件的接触位置进行匹配，获得与接触部件的接触位置相匹配的第一表面缺陷；获取第一表面缺陷的形貌和类型；根据第一表面缺陷的形貌和类型以及外延晶圆的外延层厚度，确定接触部件的改善手段以降低第一表面缺陷的数量。
本发明授权改善外延晶圆品质的方法、装置， 及外延晶圆和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种改善外延晶圆品质的方法，其特征在于，所述方法包括： 将外延晶圆的表面缺陷的位置与外延工艺设备中的接触部件的接触位置进行匹配，获得与所述接触部件的接触位置相匹配的第一表面缺陷； 获取所述第一表面缺陷的形貌和类型； 根据所述第一表面缺陷的形貌和类型以及所述外延晶圆的外延层厚度，确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量；所述接触部件为布设于所述外延工艺设备中的机器人的机械手； 其中，所述根据所述第一表面缺陷的形貌和类型以及所述外延晶圆的外延层厚度，确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量，包括： 根据所述第一表面缺陷的形貌和类型以及所述外延晶圆的外延层厚度，确定所述外延晶圆的衬底在所述第一表面缺陷的相应位置处的第二表面缺陷尺寸； 根据所述第二表面缺陷尺寸确定所述机械手夹持时的伸缩尺寸以及所述机械手的布设角度，以降低所述第一表面缺陷的数量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司，其通讯地址为：710065 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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