四川凯路威科技有限公司毛军华获国家专利权
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龙图腾网获悉四川凯路威科技有限公司申请的专利一种RFID芯片的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179604.5，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种RFID芯片的封装方法是由毛军华;刘毅设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种RFID芯片的封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种RFID芯片的封装方法。本发明通过在RFID芯片的焊盘上结合导体层，使得RFID芯片的封装尺寸大于其物理尺寸，也即，将超小尺寸的RFID芯片变为了常规尺寸的RFID芯片甚至更大尺寸的RFID芯片，从而降低了封装难度，摆脱了对高精度昂贵设备的依赖，无需增加设备采购成本、折旧成本及耗材成本，同时本发明显著提升了封装速度和劳动效率。
本发明授权一种RFID芯片的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种RFID芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 在带有转移膜的且呈紧密接触排列的整盘晶圆的RFID芯片表面涂布导电介质后进行扩膜，使相邻RFID芯片之间产生间隙，得到间隔芯片集合体；所述导电介质为各向异性导电胶，所述各向异性的导电胶确保导电介质沿垂直方向导电，而横向不导电； 在所述间隔芯片集合体的导电介质表面贴合导体层，进行热压处理，使所述导电介质凝固将RFID芯片与导体层结合；所述导体层的面积≥扩膜后的转移膜的面积； 使用机器视觉切断RFID芯片两焊盘之间的导体层，再使用机器视觉沿相邻芯片之间的间隙对导体层进行分割，形成独立的改进RFID芯片，每个改进RFID芯片携带两块导体层； 以每个改进RFID芯片中的两块导体层作为绑定链接点进行封装；所述封装为与空天线进行连接； 所述间隔芯片集合体中相邻RFID芯片之间的间隔距离为50～100μm； 所述导体层的厚度为50～80μm； 所述沿相邻芯片之间的间隙对导体层进行分割为：采用固定横竖路径对导体层进行分割。
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