芯恩(青岛)集成电路有限公司邱海斌获国家专利权
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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利电容测试结构及获取多电容结构电容的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119673918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411805258.9,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权电容测试结构及获取多电容结构电容的方法是由邱海斌;朱晓文;王文博设计研发完成,并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容测试结构及获取多电容结构电容的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种电容测试结构及获取多电容结构电容的方法。所述电容测试结构包括主测试单元、第一寄生电容测试单元和第二寄生电容测试单元,其中,金属连线产生的寄生电容相同,金属焊盘产生的寄生电容相同,分别利用该三个测试单元进行电容测试可得到相应的测试数据,进而根据等式C11=C1‑[C2‑C3‑C2n‑1],可以计算得到待测多电容结构的电容,能够减小寄生电容的影响,提高待测多电容结构的电容准确性,另外第一数量大于第二数量和第三数量之和,从而可减小寄生电容测试结构占据的面积,能够节约晶圆测试区域面积。所述获取多电容结构电容的方法采用上述电容测试结构。
本发明授权电容测试结构及获取多电容结构电容的方法在权利要求书中公布了:1.一种电容测试结构,其特征在于,包括: 主测试单元,包括形成于晶圆上的待测多电容结构、至少两个第一金属焊盘以及连接所述待测多电容结构和所述至少两个第一金属焊盘的第一金属连线,所述待测多电容结构共包括在晶圆上横向排布且电性连接的第一数量的电容器件; 第一寄生电容测试单元,包括形成于所述晶圆上的第一电容结构、至少两个第二金属焊盘以及连接所述第一电容结构和所述至少两个第二金属焊盘的第二金属连线,所述第一电容结构共包括第二数量的所述电容器件,当第二数量大于1时,所述第二数量的电容器件并联连接; 第二寄生电容测试单元,包括形成于所述晶圆上的第二电容结构、至少两个第三金属焊盘以及连接所述第二电容结构和所述至少两个第三金属焊盘的第三金属连线,所述第二电容结构共包括并联连接的第三数量的所述电容器件,其中,所述第三数量为所述第二数量的n倍,所述第一数量大于所述第二数量和所述第三数量之和,n为大于1的整数; 其中,所述第一金属连线、所述第二金属连线以及所述第三金属连线在电容测试时产生的寄生电容相同,所述至少两个第一金属焊盘、所述至少两个第二金属焊盘及所述至少两个第三金属焊盘在电容测试时产生的寄生电容相同,所述待测多电容结构的电容满足等式: C11=C1-[C2-C3-C2n-1],其中,C11、C1、C2及C3分别为所述待测多电容结构的电容以及利用所述主测试单元、所述第一寄生电容测试单元及所述第二寄生电容测试单元进行电容测试得到的电容数据。
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