买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411797538.X，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器是由陈佰乐;李林泽设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可用于1550nm波段的倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器，包括：半导体主体、阴极、阳极、苯并环丁烯介质膜、增透膜，且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构依次包括半绝缘InP衬底、缓冲层、多个周期交替的等差折射波导层、阴极接触层、匹配引导层、集电层、耗尽InGaAs吸收层、非耗尽InGaAs吸收层、电子阻挡层、阳极接触层。本发明通过采用厚度逐渐变化的波导设计，实现了小尺寸器件的高效耦合。同时，借助苯并环丁烯介质膜的非平坦化设计，缓解了亚太赫兹光电探测器的RC时间限制。该设计具有超高频率响应带宽，高输出功率，以及高响应度的特点，能够满足光子太赫兹通信等系统的需求。

本发明授权一种倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种倏逝波耦合型亚太赫兹单行载流子光电探测器，其特征在于，包括半导体主体，半导体主体包括半绝缘InP衬底a，半绝缘InP衬底a上从下至上依次设有缓冲层b、多个周期交替的等差折射波导层c、阴极接触层d、匹配引导层e、集电层f、耗尽InGaAs吸收层g、非耗尽InGaAs吸收层h、电子阻挡层i、阳极接触层j，缓冲层b、等差折射波导层c以及阴极接触层d构成第三台阶5，匹配引导层e构成第二台阶3，集电层f、耗尽InGaAs吸收层g、非耗尽InGaAs吸收层h、电子阻挡层i以及阳极接触层j构成第一台阶1；第一台阶1、第二台阶3、第三台阶5、半绝缘InP衬底a的表面设有一层苯并环丁烯介质膜6；第一台阶1上设有阳极2，第三台阶5上设有阴极4，阳极2、阴极4向同一侧的苯并环丁烯介质膜6延伸，阳极2的延伸部分及其两侧的阴极4的延伸部分与苯并环丁烯介质膜6上的镀金层构成共面波导电极7；wafer解理成Bar条后，Bar条侧面设有增透膜8； 所述的等差折射波导层c采用多个周期交替的InPInGaAsP材料，且每个周期的InP层厚度保持固定，InGaAsP层厚度从下至上呈等差递增，形成了折射率的梯度分布，实现探测器波导层和输入光纤的模斑大小匹配，以降低了光纤与波导之间的耦合损耗； 所述的匹配引导层e采用等效折射率介于吸收层以及等差折射波导层之间的InGaAsP材料，实现光波路径的有效束缚，减小耦合距离； 所述的苯并环丁烯介质膜c采用非平坦化设计，厚度显著高于第一台阶1，将共面波导电极7充分垫高，使得电极从阳极2到苯并环丁烯介质膜6表面呈爬坡状，增加共面波导与半导体有源区主体之间的距离，并减小共面波导下方的等效介电常数，以降低共面波导与半导体有源区主体之间的寄生电容，以及共面波导自身引入的寄生电容，缓解亚太赫兹光电探测器的RC时间限制； 所述电子阻挡层i采用厚度大于300nm的宽带隙InP层，在阻挡电子扩散的同时，还将光子束缚在InGaAs吸收层中，增强光子吸收，提高器件的响应度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海科技大学，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区华夏中路393号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。