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龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119685770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411726796.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置及方法是由夏志林;王宇翔设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置及方法，涉及薄膜制备技术领域，包括由第一靶材和第二靶材组成的靶材组件，镀膜组件，位于靶材组件一侧，镀膜组件包括转筒及均匀设置于转筒外壁的多个基板；遮挡组件，位于靶材组件和镀膜组件之间，相对于转筒中心轴线对称设置，遮挡组件包括固定架、挡板及第一驱动装置，挡板沿固定架内侧高度方向间隔设置有多个，第一驱动装置设置有多个，分别用于驱使挡板在水平方向移动，以调节挡板在水平方向遮挡靶材的位置。通过遮挡组件中的挡板和第一驱动装置的设置，可以调节靶材在基板上的溅射面积，有效控制两种靶材在基板上的溅射覆盖范围，从而实现对基板上不同材料掺杂比例的精确控制。

本发明授权一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制方法，其特征在于，包括步骤如下： S1、设定靶材A和靶材B的溅射分布特性，每块靶材的溅射粒子分布根据高斯分布函数描述，计算出靶材A和靶材B未遮挡时在基板上的溅射粒子分布函数，分别为和，其中， ； ； 式中Y0A、Y0B为最大溅射速率，为指数运算，σxA和σyA分别为靶材A溅射分布在x方向和y方向的标准差,σxB和σyB分别为靶材B溅射分布在x方向和y方向的标准差,xTA和yTA表示靶材A在基板表面上某个点的位置坐标，xTB和yTB表示靶材B在基板表面上某个点的位置坐标； S2、为实现靶材A和靶材B在基板上的溅射比例控制，设计遮挡函数Mx,y,D，其值取决于靶材表面某点是否被遮挡，定义如下： ； 其中，x，y为挡板的坐标，D为靶材到挡板的垂直距离； 分别定义靶材A和靶材B的遮挡函数为MAxTA,yTA和MBxTB,yTB，以调节靶材A和B的有效溅射面积，从而控制各自的溅射总量； S3、在靶材存在遮挡条件下，通过积分求解方式计算靶材A和靶材B在基板上的实际溅射总量和，通过公式，并通过迭代优化遮挡函数Mx,y,D中挡板的坐标x、y，确定满足目标比例的最优挡板位置和形状，式中，α为薄膜中A物质与B物质的比值，为预设定值； S4、根据计算结果，通过调整挡板的遮挡区域，分别调节靶材A和B的有效溅射面积，从而精确控制薄膜掺杂比例； 所述双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制方法利用了一种双靶共镀磁控溅射掺杂比例控制装置，该装置包括： 靶材组件1，所述靶材组件1包括第一靶材11和第二靶材12，第一靶材11和第二靶材12并排设置； 镀膜组件2，位于靶材组件1一侧，所述镀膜组件2包括转筒21及均匀设置于转筒21外壁的多个基板22，所述转筒21竖直位于第一靶材11和第二靶材12中心处； 遮挡组件3，位于靶材组件1和镀膜组件2之间，相对于转筒21中心轴线对称设置，所述遮挡组件3包括固定架31、挡板32及第一驱动装置33，挡板32沿固定架31内侧高度方向间隔设置有多个，第一驱动装置33在固定架31架上设置有多个，分别用于驱使对应的挡板32在水平方向移动，以调节挡板32在水平方向遮挡靶材的位置； 还包括控制系统，所述控制系统根据预设的掺杂比例，动态调节每个遮挡组件3上的挡板32遮挡范围，以使掺杂比例符合要求。

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